Radheshyam Rai
AuthID: R-000-NEM
151
TÃTULO: Thermodynamic stability of high-<i>K</i> dielectric metal oxides ZrO<sub>2</sub> and HfO<sub>2</sub> in contact with Si and SiO<sub>2</sub>
AUTORES: Gutowski, M; Jaffe, JE; Liu, CL; Stoker, M; Hegde, RI; Rai, RS; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 11
AUTORES: Gutowski, M; Jaffe, JE; Liu, CL; Stoker, M; Hegde, RI; Rai, RS; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 80, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: 
ORCID
ORCID152
TÃTULO: Theoretical and experimental investigation of boron diffusion in polycrystalline HfO<sub>2</sub> films
AUTORES: Liu, CL; Jiang, ZX; Hegde, RI; Sieloff, DD; Rai, RS; Gilmer, DC; Hobbs, CC; Tobin, PJ; Lu, SF;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 8
AUTORES: Liu, CL; Jiang, ZX; Hegde, RI; Sieloff, DD; Rai, RS; Gilmer, DC; Hobbs, CC; Tobin, PJ; Lu, SF;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 81, NÚMERO: 8
153
TÃTULO: Study of phase transition and equation of state for rubidium halides
AUTORES: Singh, S; Singh, RK; Rai, R; Singh, BP;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, VOLUME: 68, NÚMERO: 4
AUTORES: Singh, S; Singh, RK; Rai, R; Singh, BP;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, VOLUME: 68, NÚMERO: 4
154
TÃTULO: Surface and interface roughness of ultrathin nitric oxide oxynitride gate dielectric
AUTORES: Hegde, RI; Maiti, B; Rai, RS; Reid, KG; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, VOLUME: 145, NÚMERO: 1
AUTORES: Hegde, RI; Maiti, B; Rai, RS; Reid, KG; Tobin, PJ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, VOLUME: 145, NÚMERO: 1
155
TÃTULO: Specific site cross-sectional sample preparation using focused ion beam for transmission electron microscopy
AUTORES: Schraub, DM; Rai, RS;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, VOLUME: 36, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Schraub, DM; Rai, RS;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, VOLUME: 36, NÚMERO: 1-2
156
TÃTULO: Development of high conductivity lead (Pb) free conducting adhesives
AUTORES: Kang, SK; Rai, RS; Purushothaman, S;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY PART A, VOLUME: 21, NÚMERO: 1
AUTORES: Kang, SK; Rai, RS; Purushothaman, S;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY PART A, VOLUME: 21, NÚMERO: 1
157
TÃTULO: Complications of pregnancy after infertility treatment: Awareness and prevention
AUTORES: Rai, RS; Regan, L; Coben, H;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: BRITISH JOURNAL OF OBSTETRICS AND GYNAECOLOGY, VOLUME: 103, NÚMERO: 2
AUTORES: Rai, RS; Regan, L; Coben, H;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: BRITISH JOURNAL OF OBSTETRICS AND GYNAECOLOGY, VOLUME: 103, NÚMERO: 2
158
TÃTULO: Raised thrombin/antithrombin II complex levels in pregnant women with recurrent miscarriage both with and without antiphospholipid antibodies.
AUTORES: Rai, RS; Regan, L; Vincent, T; Dave, M; Cohen, H;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: BRITISH JOURNAL OF HAEMATOLOGY, VOLUME: 93
AUTORES: Rai, RS; Regan, L; Vincent, T; Dave, M; Cohen, H;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: BRITISH JOURNAL OF HAEMATOLOGY, VOLUME: 93
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID159
TÃTULO: Prospective randomised trial of aspirin versus aspirin plus heparin in pregnant women with the antiphospholipid syndrome.
AUTORES: Rai, RS; Regan, L; Dave, M; Cohen, H;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: BRITISH JOURNAL OF HAEMATOLOGY, VOLUME: 93
AUTORES: Rai, RS; Regan, L; Dave, M; Cohen, H;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: BRITISH JOURNAL OF HAEMATOLOGY, VOLUME: 93
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID160
TÃTULO: Interfacial reactions during soldering with lead-tin eutectic and lead (Pb)-free, tin-rich solders
AUTORES: Kang, SK; Rai, RS; Purushothaman, S;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 25, NÚMERO: 7
AUTORES: Kang, SK; Rai, RS; Purushothaman, S;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 25, NÚMERO: 7
