Radheshyam Rai
AuthID: R-000-NEM
171
TÃTULO: CHARACTERIZATION OF INGAAS/ALGAAS/GAAS HETEROEPITAXIAL STRUCTURES BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY AND ENERGY-DISPERSIVE SPECTROSCOPY
AUTORES: RAI, RS; TARTAGLIA, JM; QUINN, WE; MARTEL, DC;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, VOLUME: 27, NÚMERO: 1
AUTORES: RAI, RS; TARTAGLIA, JM; QUINN, WE; MARTEL, DC;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, VOLUME: 27, NÚMERO: 1
172
TÃTULO: TEM CHARACTERIZATION OF (HG,CD)TE/CDTE HETEROEPITAXIAL LAYERS
AUTORES: RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: MICROSTRUCTURE OF MATERIALS
AUTORES: RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: MICROSTRUCTURE OF MATERIALS
INDEXADO EM:
WOS

NO MEU:
ORCID

173
TÃTULO: VERTICAL-CAVITY OPTOELECTRONIC STRUCTURES - CAD, GROWTH, AND STRUCTURAL CHARACTERIZATION
AUTORES: CHRISTENSEN, DH; CROCHIERE, SM; PELLEGRINO, JG; RAI, RS; PARSONS, CA; TSENG, WF; HICKERNELL, RK;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES FOR PHOTONIC AND ELECTRONIC APPLICATIONS, VOLUME: 281
AUTORES: CHRISTENSEN, DH; CROCHIERE, SM; PELLEGRINO, JG; RAI, RS; PARSONS, CA; TSENG, WF; HICKERNELL, RK;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES FOR PHOTONIC AND ELECTRONIC APPLICATIONS, VOLUME: 281
INDEXADO EM:
WOS

NO MEU:
ORCID

174
TÃTULO: CHARACTERIZATION OF ALGAAS/INGAAS/GAAS HETEROEPITAXIAL LAYERS BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY AND ENERGY-DISPERSIVE SPECTROSCOPY
AUTORES: RAI, RS; TARTAGLIA, JM; QUINN, WE; MARTEL, DC;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES FOR PHOTONIC AND ELECTRONIC APPLICATIONS, VOLUME: 281
AUTORES: RAI, RS; TARTAGLIA, JM; QUINN, WE; MARTEL, DC;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES FOR PHOTONIC AND ELECTRONIC APPLICATIONS, VOLUME: 281
INDEXADO EM:
WOS

NO MEU:
ORCID

175
TÃTULO: VERTICAL-CAVITY SEMICONDUCTOR-LASERS - STRUCTURAL CHARACTERIZATION, CAD, AND DFB STRUCTURES
AUTORES: CHRISTENSEN, DH; PARSONS, CA; PELLEGRINO, JG; HILL, JR; RAI, RS; CROCHIERE, SM; HICKERNELL, RK; SCHAAFSMA, DT;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: LASER DIODE TECHNOLOGY AND APPLICATIONS V, VOLUME: 1850
AUTORES: CHRISTENSEN, DH; PARSONS, CA; PELLEGRINO, JG; HILL, JR; RAI, RS; CROCHIERE, SM; HICKERNELL, RK; SCHAAFSMA, DT;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: LASER DIODE TECHNOLOGY AND APPLICATIONS V, VOLUME: 1850
176
TÃTULO: AN INTEGRATED APPROACH FOR UTILIZATION OF OVERBURDEN FOR STOWING IN THICK SEAMS EXTRACTION AND BACK FILLING IN EXHAUSTED QUARRIES
AUTORES: RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: THICK SEAM MINING
AUTORES: RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: THICK SEAM MINING
INDEXADO EM:
WOS

NO MEU:
ORCID

177
TÃTULO: EXPERIENCE WITH SIMULTANEOUS 3 LIFT LONGWALL EXTRACTION OF 9 M. THICK LOW STRENGTH COAL SEAM AT 450 M. DEPTH AT JITPUR-COLLIERY
AUTORES: RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: THICK SEAM MINING
AUTORES: RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: THICK SEAM MINING
INDEXADO EM:
WOS

NO MEU:
ORCID

178
TÃTULO: CVD AND CHARACTERIZATION OF AL-CU METALLIZATION THIN-FILMS
AUTORES: HOULDING, VH; MAXWELL, H; CROCHIERE, SM; FARRINGTON, DL; RAI, RS; TARTAGLIA, JM;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: ADVANCED METALLIZATION AND PROCESSING FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUITS - II, VOLUME: 260
AUTORES: HOULDING, VH; MAXWELL, H; CROCHIERE, SM; FARRINGTON, DL; RAI, RS; TARTAGLIA, JM;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: ADVANCED METALLIZATION AND PROCESSING FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUITS - II, VOLUME: 260
179
TÃTULO: CHARACTERIZATION OF VERTICAL-CAVITY SEMICONDUCTOR STRUCTURES
AUTORES: CHRISTENSEN, DH; PELLEGRINO, JG; HICKERNELL, RK; CROCHIERE, SM; PARSONS, CA; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 72, NÚMERO: 12
AUTORES: CHRISTENSEN, DH; PELLEGRINO, JG; HICKERNELL, RK; CROCHIERE, SM; PARSONS, CA; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 72, NÚMERO: 12
180
TÃTULO: CHARACTERIZATION OF CDTE, (CD,ZN)TE, AND CD(TE,SE)SINGLE CRYSTALS BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
AUTORES: RAI, RS; MAHAJAN, S; MCDEVITT, S; JOHNSON, CJ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, VOLUME: 9, NÚMERO: 3
AUTORES: RAI, RS; MAHAJAN, S; MCDEVITT, S; JOHNSON, CJ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, VOLUME: 9, NÚMERO: 3