Radheshyam Rai
AuthID: R-000-NEM
181
TÃTULO: INTERLAYER COUPLING IN PEROXITONIC MODEL OF SUPERCONDUCTIVITY
AUTORES: RAI, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: BULLETIN OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 14, NÚMERO: 4
AUTORES: RAI, R;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: BULLETIN OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 14, NÚMERO: 4
182
TÃTULO: DEFORMATION-BEHAVIOR OF CDTE AND (CD,ZN)TE SINGLE-CRYSTALS BETWEEN 200-DEGREES-C AND 600-DEGREES-C
AUTORES: RAI, RS; MAHAJAN, S; MICHEL, DJ; SMITH, HH; MCDEVITT, S; JOHNSON, CJ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 3
AUTORES: RAI, RS; MAHAJAN, S; MICHEL, DJ; SMITH, HH; MCDEVITT, S; JOHNSON, CJ;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: 
WOS
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ORCID183
TÃTULO: GROWTH AND CHARACTERIZATION OF CDTE AND CDTE ALLOYS
AUTORES: MCDEVITT, S; JOHN, DR; SEPICH, JL; BOWERS, KA; SCHETZINA, JF; RAI, RS; MAHAJAN, S;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: PROPERTIES OF II-VI SEMICONDUCTORS : BULK CRYSTALS, EPITAXIAL FILMS, QUANTUM WELL STRUCTURES, AND DILUTE MAGNETIC SYSTEMS, VOLUME: 161
AUTORES: MCDEVITT, S; JOHN, DR; SEPICH, JL; BOWERS, KA; SCHETZINA, JF; RAI, RS; MAHAJAN, S;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: PROPERTIES OF II-VI SEMICONDUCTORS : BULK CRYSTALS, EPITAXIAL FILMS, QUANTUM WELL STRUCTURES, AND DILUTE MAGNETIC SYSTEMS, VOLUME: 161
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ORCID184
TÃTULO: FERROELECTRIC DOMAIN-STRUCTURE OF LANTHANUM-MODIFIED LEAD TITANATE CERAMICS
AUTORES: DEMCZYK, BG; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 73, NÚMERO: 3
AUTORES: DEMCZYK, BG; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 73, NÚMERO: 3
185
TÃTULO: INFLUENCE OF SOLUTE DOPING ON THE HIGH-TEMPERATURE DEFORMATION-BEHAVIOR OF GAAS
AUTORES: GURUSWAMY, S; RAI, RS; FABER, KT; HIRTH, JP; CLEMANS, JE; MCGUIGAN, S; THOMAS, RN; MITCHEL, W;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 65, NÚMERO: 6
AUTORES: GURUSWAMY, S; RAI, RS; FABER, KT; HIRTH, JP; CLEMANS, JE; MCGUIGAN, S; THOMAS, RN; MITCHEL, W;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 65, NÚMERO: 6
186
TÃTULO: DISLOCATION-STRUCTURES IN IN-DOPED AND UNDOPED GAAS DEFORMED AT 700-1100-DEGREES-C
AUTORES: RAI, RS; GURUSWAMY, S; FABER, KT; HIRTH, JP;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: PHILOSOPHICAL MAGAZINE A-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STRUCTURE DEFECTS AND MECHANICAL PROPERTIES, VOLUME: 60, NÚMERO: 3
AUTORES: RAI, RS; GURUSWAMY, S; FABER, KT; HIRTH, JP;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: PHILOSOPHICAL MAGAZINE A-PHYSICS OF CONDENSED MATTER STRUCTURE DEFECTS AND MECHANICAL PROPERTIES, VOLUME: 60, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: WOS
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ORCID187
TÃTULO: Dislocation structures in In-doped and undoped GaAs deformed at 700-1100°C
AUTORES: Rai, RS; Guruswamy, S; Faber, KT; Hirth, JP;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Philosophical Magazine A, VOLUME: 60, NÚMERO: 3
AUTORES: Rai, RS; Guruswamy, S; Faber, KT; Hirth, JP;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Philosophical Magazine A, VOLUME: 60, NÚMERO: 3
188
TÃTULO: CRYSTALLIZATION BEHAVIOR OF A GLASS IN THE Y2O3-SIO2-ALN SYSTEM
AUTORES: DINGER, TR; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 71, NÚMERO: 4
AUTORES: DINGER, TR; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 71, NÚMERO: 4
189
TÃTULO: EFFECT OF LEAD ACETATE IN THE PREPARATION OF THE LINDLAR CATALYST
AUTORES: ULAN, JG; KUO, E; MAIER, WF; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF ORGANIC CHEMISTRY, VOLUME: 52, NÚMERO: 14
AUTORES: ULAN, JG; KUO, E; MAIER, WF; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF ORGANIC CHEMISTRY, VOLUME: 52, NÚMERO: 14
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TÃTULO: DEFORMATION-BEHAVIOR OF UNDOPED AND IN-DOPED GAAS IN THE TEMPERATURE-RANGE 700-100-DEGREES-C
AUTORES: GURUSWAMY, S; RAI, RS; FABER, KT; HIRTH, JP;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 62, NÚMERO: 10
AUTORES: GURUSWAMY, S; RAI, RS; FABER, KT; HIRTH, JP;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 62, NÚMERO: 10
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