Radheshyam Rai
AuthID: R-000-NEM
191
TÃTULO: Deformation behavior of undoped and In-doped GaAs in the temperature range 700–1100 °C
AUTORES: Guruswamy, S; Rai, RS; Faber, KT; Hirth, JP;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 62, NÚMERO: 10
AUTORES: Guruswamy, S; Rai, RS; Faber, KT; Hirth, JP;
PUBLICAÇÃO: 1987, FONTE: Journal of Applied Physics, VOLUME: 62, NÚMERO: 10
192
TÃTULO: LATTICE IMAGING STUDIES ON STRUCTURE AND DISORDER IN SIC POLYTYPES .1.
AUTORES: RAI, RS; SINGH, SR; DUBEY, M; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1986, FONTE: BULLETIN DE MINERALOGIE, VOLUME: 109, NÚMERO: 5
AUTORES: RAI, RS; SINGH, SR; DUBEY, M; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1986, FONTE: BULLETIN DE MINERALOGIE, VOLUME: 109, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: 
WOS
WOS NO MEU: 
ORCID
ORCID193
TÃTULO: METAMORPHOSIS OF PALLADIUM AND ITS RELATION TO SELECTIVITY IN THE ROSENMUND REACTION
AUTORES: MAIER, WF; CHETTLE, SJ; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1986, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, VOLUME: 108, NÚMERO: 10
AUTORES: MAIER, WF; CHETTLE, SJ; RAI, RS; THOMAS, G;
PUBLICAÇÃO: 1986, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, VOLUME: 108, NÚMERO: 10
194
TÃTULO: LATTICE IMAGING STUDIES ON 201R POLYTYPE OF SILICON-CARBIDE
AUTORES: RAI, RS; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, VOLUME: 3, NÚMERO: 6
AUTORES: RAI, RS; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, VOLUME: 3, NÚMERO: 6
195
TÃTULO: HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPIC STUDIES ON A NEW POLYTYPE OF SIC AND ITS INTERGROWTH STRUCTURES
AUTORES: RAI, RS; KORGUL, P; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION B-STRUCTURAL SCIENCE, VOLUME: 40, NÚMERO: APR
AUTORES: RAI, RS; KORGUL, P; SINGH, G;
PUBLICAÇÃO: 1984, FONTE: ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION B-STRUCTURAL SCIENCE, VOLUME: 40, NÚMERO: APR
196
TÃTULO: X-RAY TOPOGRAPHIC STUDIES OF SIC CRYSTALS GROWN FROM VAPOR-PHASE
AUTORES: RAI, RS; SINGH, G; SENGUPTA, SP;
PUBLICAÇÃO: 1983, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 61, NÚMERO: 1
AUTORES: RAI, RS; SINGH, G; SENGUPTA, SP;
PUBLICAÇÃO: 1983, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 61, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID197
TÃTULO: STRUCTURAL CHARACTERIZATION OF THE DIMETHYLTIN(IV) BIS(MONOTHIODIBENZOYLMETHANATE)
AUTORES: SINGH, B; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1983, FONTE: CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, VOLUME: 18, NÚMERO: 5
AUTORES: SINGH, B; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1983, FONTE: CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, VOLUME: 18, NÚMERO: 5
198
TÃTULO: PHENOTYPIC STABILITY OF YIELD IN FINGERMILLET
AUTORES: CHAUDHARI, LB; SINGH, R; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1979, FONTE: INDIAN JOURNAL OF AGRICULTURAL SCIENCES, VOLUME: 49, NÚMERO: 4
AUTORES: CHAUDHARI, LB; SINGH, R; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1979, FONTE: INDIAN JOURNAL OF AGRICULTURAL SCIENCES, VOLUME: 49, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID199
TÃTULO: GENOTYPE-X ENVIRONMENT INTERACTIONS IN FINGERMILLET
AUTORES: CHAUDHARI, LB; SINGH, R; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1977, FONTE: INDIAN JOURNAL OF AGRICULTURAL SCIENCES, VOLUME: 47, NÚMERO: 5
AUTORES: CHAUDHARI, LB; SINGH, R; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1977, FONTE: INDIAN JOURNAL OF AGRICULTURAL SCIENCES, VOLUME: 47, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: WOS
WOS NO MEU: ORCID
ORCID200
TÃTULO: RADIATION-CHEMISTRY OF A MIXTURE OF BENZENE AND CYCLOHEXANE IN PRESENCE OF TRIPHENYL STIBINE
AUTORES: NAZIR, SB; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1976, FONTE: INTERNATIONAL JOURNAL OF APPLIED RADIATION AND ISOTOPES, VOLUME: 27, NÚMERO: 8
AUTORES: NAZIR, SB; RAI, RS;
PUBLICAÇÃO: 1976, FONTE: INTERNATIONAL JOURNAL OF APPLIED RADIATION AND ISOTOPES, VOLUME: 27, NÚMERO: 8
