Hugo Manuel Brito Águas
AuthID: R-000-61B
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TÃTULO: Effect of the discharge frequency and impedance on the structural properties of polymorphous silicon Full Text
AUTORES: Águas, H; Raniero, L; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 451-452
AUTORES: Águas, H; Raniero, L; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 451-452
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TÃTULO: Effect of Annealing on Gold Rectifying Contacts in Amorphous Silicon
AUTORES: Hugo Águas; Luís Pereira; Isabel Ferreira; A.R Ramos; A.S Viana; Andreu, J; Paula M Vilarinho; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
AUTORES: Hugo Águas; Luís Pereira; Isabel Ferreira; A.R Ramos; A.S Viana; Andreu, J; Paula M Vilarinho; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
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TÃTULO: Silicon Etching in CF<sub>4</sub>/O<sub>2</sub> and SF<sub>6</sub> Atmospheres
AUTORES: Silva, A; Leandro Raniero; Ferreira, E; Hugo Águas; Luís Pereira; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
AUTORES: Silva, A; Leandro Raniero; Ferreira, E; Hugo Águas; Luís Pereira; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
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TÃTULO: MIS Photodiodes of Polymorphous Silicon Deposited at Higher Growth Rates by 27.12 MHz PECVD Discharge
AUTORES: Hugo Águas; Luís Pereira; Leandro Raniero; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
AUTORES: Hugo Águas; Luís Pereira; Leandro Raniero; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
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TÃTULO: Polymorphous Silicon Films Deposited at 27.12 MHz
AUTORES: Martins, R; Aguas, H; Ferreira, I; Fortunato, E ; Lebib, S; Roca i Cabarrocas, P; Guimaraes, L;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Advanced Materials, VOLUME: 15, NÚMERO: 24
AUTORES: Martins, R; Aguas, H; Ferreira, I; Fortunato, E ; Lebib, S; Roca i Cabarrocas, P; Guimaraes, L;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Advanced Materials, VOLUME: 15, NÚMERO: 24
INDEXADO EM: 
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ORCID146
TÃTULO: Polymorphous silicon deposited in large area reactor at 13 and 27 MHz Full Text
AUTORES: Águas, H; Roca i Cabarrocas, P; Lebib, S; Silva, V; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Águas, H; Roca i Cabarrocas, P; Lebib, S; Silva, V; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: Influence of the deposition pressure on the properties of transparent and conductive ZnO:Ga thin-film produced by r.f. sputtering at room temperature Full Text
AUTORES: Assunção, V; Fortunato, E ; Marques, A; Águas, H; Ferreira, I; M.E.V Costa; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Assunção, V; Fortunato, E ; Marques, A; Águas, H; Ferreira, I; M.E.V Costa; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: Spectroscopic ellipsometry study of amorphous silicon anodically oxidised Full Text
AUTORES: Águas, H; Gonçalves, A; Pereira, L ; Silva, R; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Águas, H; Gonçalves, A; Pereira, L ; Silva, R; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 427, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: New challenges on gallium-doped zinc oxide films prepared by r.f. magnetron sputtering Full Text
AUTORES: Vitor Assunção; Elvira Fortunato ; António Marques; Alexandra Gonçalves; Isabel Ferreira; Hugo Águas; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 442, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Vitor Assunção; Elvira Fortunato ; António Marques; Alexandra Gonçalves; Isabel Ferreira; Hugo Águas; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 442, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: Large Area Deposition of Polymorphous Silicon by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition at 27.12 MHz and 13.56 MHz
AUTORES: Águas, H; Silva, V; Fortunato, E ; Lebib, S; Roca i Cabarrocas, P; Ferreira, I; Guimarães, L; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Jpn. J. Appl. Phys. - Japanese Journal of Applied Physics, VOLUME: 42, NÚMERO: Part 1, No. 8
AUTORES: Águas, H; Silva, V; Fortunato, E ; Lebib, S; Roca i Cabarrocas, P; Ferreira, I; Guimarães, L; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Jpn. J. Appl. Phys. - Japanese Journal of Applied Physics, VOLUME: 42, NÚMERO: Part 1, No. 8
