Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
91
TÃTULO: Doping β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> with europium: influence of the implantation and annealing temperature Full Text
AUTORES: Peres, M; Lorenz, K; Alves, E; Nogales, E; Méndez, B; Biquard, X; Daudin, B; Víllora, EG; Shimamura, K;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 32
AUTORES: Peres, M; Lorenz, K; Alves, E; Nogales, E; Méndez, B; Biquard, X; Daudin, B; Víllora, EG; Shimamura, K;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 32
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TÃTULO: Luminescence of Eu<sup>3+</sup> in GaN(Mg, Eu): Transitions from the <sup>5</sup>D<inf>1</inf> level
AUTORES: Singh A.K.; O'Donnell K.P.; Edwards P.R.; Cameron D.; Lorenz K.; Kappers M.J.; Boćkowski M.; Yamaga M.; Prakash R.;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 111, NÚMERO: 24
AUTORES: Singh A.K.; O'Donnell K.P.; Edwards P.R.; Cameron D.; Lorenz K.; Kappers M.J.; Boćkowski M.; Yamaga M.; Prakash R.;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: Applied Physics Letters, VOLUME: 111, NÚMERO: 24
INDEXADO EM: 
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ORCID93
TÃTULO: Utilization of native oxygen in Eu(RE)-doped GaN for enabling device compatibility in optoelectronic applications Full Text
AUTORES: Mitchell, B; Timmerman, D; Poplawsky, J; Zhu, W; Lee, D; Wakamatsu, R; Takatsu, J; Matsuda, M; Guo, W; Lorenz, K; Alves, E; Koizumi, A; Dierolf, V; Fujiwara, Y;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 6
AUTORES: Mitchell, B; Timmerman, D; Poplawsky, J; Zhu, W; Lee, D; Wakamatsu, R; Takatsu, J; Matsuda, M; Guo, W; Lorenz, K; Alves, E; Koizumi, A; Dierolf, V; Fujiwara, Y;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SCIENTIFIC REPORTS, VOLUME: 6
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TÃTULO: Crystalfield symmetries of luminescent Eu3+ centers in GaN: The importance of the D-5(0) to F-7(1) transition Full Text
AUTORES: O'Donnell, KP; Edwards, PR; Yamaga, M; Lorenz, K; Kappers, MJ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 2
AUTORES: O'Donnell, KP; Edwards, PR; Yamaga, M; Lorenz, K; Kappers, MJ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Identifying the influence of the intrinsic defects in Gd-doped ZnO thin-films Full Text
AUTORES: Flemban, TH; Sequeira, MC; Zhang, Z; Venkatesh, S; Alves, E; Lorenz, K; Roqan, IS;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 119, NÚMERO: 6
AUTORES: Flemban, TH; Sequeira, MC; Zhang, Z; Venkatesh, S; Alves, E; Lorenz, K; Roqan, IS;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 119, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Effect of AlN content on the lattice site location of terbium ions in AlxGa1-xN compounds Full Text
AUTORES: Fialho, M; Rodrigues, J; Magalhaes, S; Correia, MR; Monteiro, T; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
AUTORES: Fialho, M; Rodrigues, J; Magalhaes, S; Correia, MR; Monteiro, T; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
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TÃTULO: Quantitative x-ray diffraction analysis of bimodal damage distributions in Tm implanted Al0.15Ga0.85N Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
AUTORES: Magalhaes, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
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WOS
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ORCID98
TÃTULO: Quantitative x-ray diffraction analysis of bimodal damage distributions in Tm implanted Al0.15Ga0.85N
AUTORES: Magalha∼es, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
AUTORES: Magalha∼es, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
INDEXADO EM: Scopus
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ORCID99
TÃTULO: Mechanisms of Implantation Damage Formation in AlxGa1-xN Compounds
AUTORES: Nd. N Faye; Wendler, E; Felizardo, M ; Magalhaes, S; Alves, E; Brunner, F; Weyers, M; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 120, NÚMERO: 13
AUTORES: Nd. N Faye; Wendler, E; Felizardo, M ; Magalhaes, S; Alves, E; Brunner, F; Weyers, M; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 120, NÚMERO: 13
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TÃTULO: Analysis of the Tb3+ recombination in ion implanted AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) layers Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Magalhaes, S; Correia, MR; Rino, L; Alves, E; Neves, AJ; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 178
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Magalhaes, S; Correia, MR; Rino, L; Alves, E; Neves, AJ; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 178
