Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
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TÃTULO: Engineering strain and conductivity of MoO3 by ion implantation Full Text
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Diaz Guerra; Marco Peres; Sergio Magalhaes; Joao G Correia; Jose G Marques; Ana G Silva; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 169
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Diaz Guerra; Marco Peres; Sergio Magalhaes; Joao G Correia; Jose G Marques; Ana G Silva; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 169
INDEXADO EM: 
WOS
WOS12
TÃTULO: Micro-Opto-Electro-Mechanical Device Based on Flexible ß-Ga2O3 Micro-Lamellas
AUTORES: Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ECS Journal of Solid State Science and Technology
AUTORES: Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ECS Journal of Solid State Science and Technology
INDEXADO EM: 
Handle
Handle13
TÃTULO: Engineering strain and conductivity of MoO3 by ion implantation
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Díaz Guerra; Marco Peres; Sérgio Magalhães; João G Correia; José G Marques; Ana G Silva; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Acta Materialia, VOLUME: 169
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Díaz Guerra; Marco Peres; Sérgio Magalhães; João G Correia; José G Marques; Ana G Silva; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Acta Materialia, VOLUME: 169
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Handle14
TÃTULO: Influence of neutron irradiation and annealing on the optical properties of GaN Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Peres, M; Soares, MJ; Lorenz, K; Marques, JG ; Neves, AJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Symposium F on Group III Nitrides and their Heterostructures for Electronics and Photonics/ICAM IUMRS Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4, VOLUME: 9, NÚMERO: 3-4
AUTORES: Rodrigues, J; Peres, M; Soares, MJ; Lorenz, K; Marques, JG ; Neves, AJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Symposium F on Group III Nitrides and their Heterostructures for Electronics and Photonics/ICAM IUMRS Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4, VOLUME: 9, NÚMERO: 3-4
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TÃTULO: Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E ; Monteiro, T; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E ; Monteiro, T; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
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TÃTULO: Implantation of nanoporous GaN with Eu ions Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Peres, M; Monteiro, T; Tripathy, S; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 257, NÚMERO: 1-2
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Peres, M; Monteiro, T; Tripathy, S; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 257, NÚMERO: 1-2
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TÃTULO: A microspectroscopic study of cap damage in annealed RE-doped AlN-capped
AUTORES: Nogales, E; Lorenz, K; Wang, K; Roqan, IS; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on GaN, AIN, InN Related Materials held at the 2005 MRS Fall Meeting in GAN, AIN, INN AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 892
AUTORES: Nogales, E; Lorenz, K; Wang, K; Roqan, IS; Martin, RW; O'Donnell, KP; Alves, E; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on GaN, AIN, InN Related Materials held at the 2005 MRS Fall Meeting in GAN, AIN, INN AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 892
INDEXADO EM: WOS
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