241
TÍTULO: Polycrystalline silicon obtained by gold metal induced crystallization  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Martins, RM ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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242
TÍTULO: Polycrystalline silicon obtained by metal induced crystallization using different metals  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Martins, RMS; Vilarinho, P ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 28
243
TÍTULO: Properties of a-Si : H intrinsic films produced by HWPA-CVD technique  Full Text
AUTORES: Ferreira, I ; Aguas, H ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Symposium on Thin Film and Nano-Structured Materials for Photovoltaics in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 451
INDEXADO EM: Scopus WOS
244
TÍTULO: Role of substrate on the growth process of polycrystalline silicon thin films by low-pressure chemical vapour deposition
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Raniero, L; Martins, RMS ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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245
TÍTULO: Role of the rf frequency on the structure and composition of polymorphous silicon films  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Raniero, L; Pereira, L ; Viana, AS ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus WOS
246
TÍTULO: Role of the rf frequency on the structure and composition of polymorphous silicon films  Full Text
AUTORES: Águas, H; Raniero, L; Pereira, L ; A.S Viana; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340
INDEXADO EM: CrossRef
247
TÍTULO: Silicon etching in CF(4)/O(2) and SF(6) atmospheres
AUTORES: Silva, A; Raniero, L; Ferreira, E; Aguas, H ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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248
TÍTULO: Sputtering preparation of silicon nitride thin films for gate dielectric applications
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Igreja, R ; Martins, RMS ; Nedev, N; Raniero, L; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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250
TÍTULO: ZnO : Ga thin films produced by RF sputtering at room temperature: Effect of the power density
AUTORES: Fortunato, E ; Assuncao, V; Marques, A; Goncalves, A; Aguas, H ; Pereira, L ; Ferreira, I ; Fernandes, FMB ; Silva, RJC ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
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