91
TÍTULO: Electrical and photoelectronic properties of hexagonal GaN  Full Text
AUTORES: Seitz, R; Gaspar, C; Monteiro, T ; Pereira, L ; Pereira, E; Schon, O; Heuken, M;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 3rd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 99) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, VOLUME: 176, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
92
TÍTULO: Interface properties and capacitance-voltage behaviour of diamond devices prepared by microwave-assisted CVD  Full Text
AUTORES: Rodrigues, AM; Gomes, HL ; Rees, JA; Pereira, L ; Pereira, E;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: IV International Workshop on Surface and Bulk Defects in CVD Diamond and Related Films in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, VOLUME: 174, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 11
93
TÍTULO: Photoconductivity and electrical properties of diamond films grown by MPCVD  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Pereira, E; Gomes, H ;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 7, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
94
TÍTULO: Schottky barrier diodes from diamond grown by microwave plasma assisted chemical vapor deposition (MPCVD)
AUTORES: Pereira, L ; Gomes, HL ; Rodrigues, A ; Pereira, E;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 2nd International Symposium on Diamond Electronics Devices (ISDED-2) in DIAMOND FILMS AND TECHNOLOGY, VOLUME: 8, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS
95
TÍTULO: Study of defects in diamond films by electrical measurements
AUTORES: Pereira, L ; Pereira, E; Gomes, H ;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 19th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-19) in DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3, VOLUME: 258-2, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
96
TÍTULO: Correlation between crystal structure, quality and luminescence in torch flame grown diamond films  Full Text
AUTORES: Pereira, L ; Pereira, E; Cremades, A; Piqueras, J;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: DIAMOND AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 5, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 8
97
TÍTULO: CHARACTERIZATION OF FLAME GROWN DIAMOND FILMS BY LUMINESCENCE AND EPR
AUTORES: PEREIRA, L ; PEREIRA, E; TAVARES, C; NETO, M ; CREMADES, A; PIQUERAS, J; JIMENEZ, J; MARTIN, P;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: Symposium F: Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors, at the 1994 Fall Meeting of the Materials-Research-Society in MICROCRYSTALLINE AND NANOCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS, VOLUME: 358
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98
TÍTULO: Excited levels of the 2.56 eV emission in synthetic diamond
AUTORES: Pereira, E; Pereira, L ; Hofmann, DM; Stadler, W; Meyer, BK;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: 7th Europhysical Conference on Defects in Insulating Materials (Eurodim 94) in RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, VOLUME: 135, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
99
TÍTULO: Ni related centers in synthetic diamond
AUTORES: Hofmann, DM; Christmann, P; Volm, D; Pressel, K; Pereira, L ; Santos, L; Pereira, E;
PUBLICAÇÃO: 1995, FONTE: 18th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-18) in ICDS-18 - PROCEEDINGS OF THE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON DEFECTS IN SEMICONDUCTORS, PTS 1-4, VOLUME: 196-, NÚMERO: pt 1
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TÍTULO: ACCEPTOR LEVEL OF SUBSTITUTIONAL NI IN DIAMOND
AUTORES: HOFMANN, DM; LUDWIG, M; CHRISTMANN, P; VOLM, D; MEYER, BK; PEREIRA, L ; SANTOS, L; PEREIRA, E;
PUBLICAÇÃO: 1994, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 50, NÚMERO: 23
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