Pedro Nuno Mendonça dos Santos


AuthID: R-000-F2R

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TÍTULO: Electronic state spectroscopy of c-C5F8 explored by photoabsorption, electron impact, photoelectron spectroscopies and ab initio calculations
AUTORES: Limao Vieira, P ; Duflot, D; Giuliani, A; Vasekova, E; Lourenco, JMC; Santos, PM ; Hoffman, SV; Mason, NJ; Delwiche, J; Hubin Franskin, MJ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A, VOLUME: 112, NÚMERO: 13
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TÍTULO: Perfluorocyclobutane electronic state spectroscopy by high-resolution vacuum ultraviolet photoabsorption, electron impact, He I photoelectron spectroscopy, and ab initio calculations
AUTORES: Limão-Vieira, P; Vasekova, E; Giuliani, A; Lourenço, JMC; Santos, PM ; Duflot, D; Hoffmann, SV; Mason, NJ; Delwiche, J; M.-J Hubin-Franskin;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Phys. Rev. A - Physical Review A, VOLUME: 76, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: CrossRef: 3
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TÍTULO: A smart power integrated circuit educational tool
AUTORES: Saulo Finco; Wellington Melo; Fernando Castaldo; Jose Pomilio; Beatriz Vieira Borges ; Pedro Santos ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, VOLUME: 22, NÚMERO: 4
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TÍTULO: High-voltage LDMOS transistors fully compatible with a deep-submicron 0.35 mu m CMOS process  Full Text
AUTORES: Santos, PM ; Vitor Costa ; Gomes, MC; Beatriz Borges ; Mario Lanca;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 38, NÚMERO: 1
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TÍTULO: Perfluorocyclobutane electronic state spectroscopy by high-resolution vacuum ultraviolet photoabsorption, electron impact, HeI photoelectron spectroscopy, and ab initio calculations
AUTORES: Limao Vieira, P ; Vasekova, E; Giuliani, A; Lourenco, JMC; Santos, PM ; Duflot, D; Hoffmann, SV; Mason, NJ; Delwiche, J; Hubin Franskin, MJ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: PHYSICAL REVIEW A, VOLUME: 76, NÚMERO: 3
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26
TÍTULO: A methodology for extracting unknown integrated circuit process parameters
AUTORES: Quaresma, HJ; Santos, PM ; Serra, AC ; Sicard, E;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 12th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, ICECS 2005 in Proceedings of the IEEE International Conference on Electronics, Circuits, and Systems
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27
TÍTULO: High-voltage NMOS design in fully implanted twin-well CMOS  Full Text
AUTORES: Santos, PM ; Quaresma, H; Silva, AP; Lanca, M;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 35, NÚMERO: 9
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28
TÍTULO: Design of High-Voltage devices in a fully implanted twin-well CMOS process
AUTORES: Santos, PM ; Quaresma, H; Silva, AP; Lanca, M;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 33rd European Solid-State Device Research Conference in ESSDERC 2003: PROCEEDINGS OF THE 33RD EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE
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29
TÍTULO: High-voltage NMOS in 0.5 μm CMOS technology for fast switching applications
AUTORES: Santos, PM ; Quaresma, H; Silva, AP; Lança, M;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: IEEE International Symposium on Industrial Electronics, ISIE 2003 in IEEE International Symposium on Industrial Electronics, VOLUME: I
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30
TÍTULO: High-voltage solutions in CMOS technology  Full Text
AUTORES: Santos, PM ; Casimiro, AP; Lanca, M; Simas, MIC;
PUBLICAÇÃO: 2002, FONTE: MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 33, NÚMERO: 8
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