141
TÍTULO: Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures  Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E ; Monteiro, T ; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
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142
TÍTULO: Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: Advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Lorenz, K ; Franco, N; Barradas, NP ; Alves, E ; Monteiro, T ; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices in SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
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143
TÍTULO: Effect of Eu2O3 doping on Ta2O5 crystal growth by the laser-heated pedestal technique  Full Text
AUTORES: Saggioro, BZ; Andreeta, MRB; Hernandes, AC; Macatrao, M; Peres, M; Costa, FM ; Monteiro, T ; Franco, N; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 313, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
144
TÍTULO: Erbium-doped nanocrystalline silicon thin films produced by RF sputtering - annealing effect on the Er emission
AUTORES: Cerqueira, MF ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Kozanecki, A; Alpuim, P ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS23) in PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7 NO 3-4, VOLUME: 7, NÚMERO: 3-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
145
TÍTULO: Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ ; Alves, E ; Monteiro, T ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS
146
TÍTULO: Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation  Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ; Alves, E ; Monteiro, T ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: CrossRef: 10
147
TÍTULO: High temperature annealing of Europium implanted AlN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Magalhaes, S; Alves, E ; Peres, M; Monteiro, T ; Neves, AJ ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 15th International Conference of the Radiation Effects in Insulators in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 268, NÚMERO: 19
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148
TÍTULO: Influence of thermal annealing on the structural and optical properties of GaN/AlN quantum dots  Full Text
AUTORES: Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ; Magalhaes, S; Alves, E ; Lorenz, K ; Okuno Vila, H; Fellmann, V; Bougerol, C; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: E-MRS Fall Meeting on Wide Band Gap II-VI and III-V Semiconductors in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 247, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
149
TÍTULO: Morphological and optical studies of self-forming ZnO nanocolumn and nanocone arrays grown by PLD on various substrates  Full Text
AUTORES: Peres, M; Soares, MJ ; Neves, AJ ; Monteiro, T ; Sandana, VE; Teherani, F; Rogers, DJ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: E-MRS Fall Meeting on Wide Band Gap II-VI and III-V Semiconductors in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 247, NÚMERO: 7
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150
TÍTULO: Optical and Structural Properties of an Eu Implanted Gallium Nitride Quantum Dots/Aluminium Nitride Superlattice
AUTORES: Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ; Magalhaes, S; Franco, N; Lorenz, K ; Alves, E ; Damilano, B; Massies, J; Dussaigne, A; Grandjean, N;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 2nd International Conference on Advanced Nano Materials in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
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