Teresa Maria Fernandes Rodrigues Cabral Monteiro


AuthID: R-000-H53

Publicações Confirmadas: 274



261
TÍTULO: Time resolved spectroscopy of mid-band-gap emissions in Si-doped GaN  Full Text
AUTORES: Seitz, R; Gaspar, C; Monteiro, T ; Pereira, E; Leroux, M; Beaumont, B; Gibart, P;
PUBLICAÇÃO: 1998, FONTE: 2nd International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 97) in JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 189
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 7
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262
TÍTULO: Blue emission in Mg doped GaN studied by time resolved spectroscopy
AUTORES: Seitz, R; Gaspar, C; Monteiro, T ; Pereira, E; Leroux, M; Beaumont, B; Gibart, P;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 19th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-19) in DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3, VOLUME: 258-2, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
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263
TÍTULO: Broad emission band in GaN epitaxial layers grown on 6H-SiC and sapphire  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Pereira, E; Correia, MR ; Xavier, C; Hofmann, DM; Meyer, BK; Fischer, S; Cremades, A; Piqueras, J;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: 1996 International Conference on luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter (ICL 96) in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 72-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 10
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264
TÍTULO: Temperature behaviour of the yellow emission in GaN
AUTORES: Seitz, R; Gaspar, C; Monteiro, T ; Pereira, E; Leroux, M; Beaumont, B; Gibart, P;
PUBLICAÇÃO: 1997, FONTE: MRS INTERNET JOURNAL OF NITRIDE SEMICONDUCTOR RESEARCH, VOLUME: 2, NÚMERO: 33-41
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265
TÍTULO: 2.2 eV luminescence in GaN
AUTORES: Hofmann, DM; Kovalev, D; Steude, G; Volm, D; Meyer, BK; Xavier, C; Monteiro, T ; Pereira, E; Mokov, EN; Amano, H; Akasaki, I;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 1st International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials in GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS, VOLUME: 395
INDEXADO EM: Scopus WOS
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266
TÍTULO: Cathodoluminescence study of GaN epitaxial layers  Full Text
AUTORES: Cremades, A; Piqueras, J; Xavier, C; Monteiro, T ; Pereira, E; Meyer, BK; Hofmann, DM; Fischer, S;
PUBLICAÇÃO: 1996, FONTE: 4th International Workshop on Beam Injection Assessment of Defects in Semiconductors (BIADS 96) in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 42, NÚMERO: 1-3
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267
TÍTULO: PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF HEAT-TREATED GAP-S SAMPLES
AUTORES: MONTEIRO, T ; PEREIRA, E; DOMINGUEZADAME, F; PIQUERAS, J;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, VOLUME: 140, NÚMERO: 12
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268
TÍTULO: SPATIAL-DISTRIBUTION OF MN-RELATED EMISSION IN GAP STUDIED BY CATHODOLUMINESCENCE AND PHOTOLUMINESCENCE  Full Text
AUTORES: PIQUERAS, J; DOMINGUEZADAME, F; MONTEIRO, T ; PEREIRA, E;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, VOLUME: 35, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
269
TÍTULO: LOW-TEMPERATURE BEHAVIOR OF A COMPLEX LUMINESCENCE IN MN-DOPED GAP IN THE REGION OF 1.7-1.8 EV  Full Text
AUTORES: MONTEIRO, T ; PEREIRA, E;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: 8TH INTERNATIONAL CONF ON DYNAMICAL PROCESSES IN EXCITED STATES OF SOLIDS ( DPC 91 ) in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 53, NÚMERO: 1-6
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270
TÍTULO: LUMINESCENCE AT 1.96 EV IN N-TYPE GAP  Full Text
AUTORES: PEREIRA, E; MONTEIRO, T ;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: 8TH INTERNATIONAL CONF ON DYNAMICAL PROCESSES IN EXCITED STATES OF SOLIDS ( DPC 91 ) in JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 53, NÚMERO: 1-6
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