Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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281
TÍTULO: Nanostructures and thin films of transparent conductive oxides studied by perturbed angular correlations  Full Text
AUTORES: Barbosa, MB; Goncalves, JN ; Redondo Cubero, A ; Miranda, SMC; Simon, R; Kessler, P; Brandt, M; Henneberger, F; Nogales, E; Mendez, B; Johnston, K; Alves, E ; Vianden, R; Araujo, JP ; Lorenz, K ; Correia, JG ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 250, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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282
TÍTULO: On the formation of an interface amorphous layer in nanostructured ferroelectric Ba0.8Sr0.2TiO3 thin films integrated on Pt-Si and its effect on the electrical properties  Full Text
AUTORES: Silva, JPB; Sekhar, KC ; Rodrigues, SAS; Pereira, M ; Parisini, A; Alves, E ; Barradas, NP ; Gomes, MJM ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) / Symposium N / Symposium O / Symposium V on Laser Materials Processing for Micro and Nano Applications in APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 278
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283
TÍTULO: On the origin of strain relaxation in epitaxial CdZnO layers
AUTORES: Redondo Cubero, A; Rodrigues, J; Brandt, M; Schaefer, P; Henneberger, F; Correia, MR ; Monteiro, T ; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Conference on Oxide-Based Materials and Devices IV in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES IV, VOLUME: 8626
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284
TÍTULO: On the origin of strain relaxation in epitaxial CdZnO layers
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Rodrigues, J; Brandt, M; Schäfer, P; Henneberger, F; Correia, MR; Monteiro, T ; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: Oxide-based Materials and Devices IV
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285
TÍTULO: p-Type CuxO Thin-Film Transistors Produced by Thermal Oxidation  Full Text
AUTORES: Figueiredo, V; Pinto, JV ; Deuermeier, J; Barros, R; Alves, E ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 9, NÚMERO: 9
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286
TÍTULO: Properties of tantalum oxynitride thin films produced by magnetron sputtering: The influence of processing parameters  Full Text
AUTORES: Cristea, D; Constantin, D; Crisan, A; Abreu, CS; Gomes, JR ; Barradas, NP ; Alves, E ; Moura, C ; Vaz, F ; Cunha, L ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: VACUUM, VOLUME: 98
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287
TÍTULO: Saturation of hydrogen retention in gallium samples exposed to tokamak ISTTOK plasmas  Full Text
AUTORES: Gomes, RB ; Mateus, R ; Alves, E ; Montemor, MF ; Silva, C; Fernandes, H ; Duarte, P;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 20th International Conference on Plasma-Surface Interactions in Controlled Fusion Devices (PSI) in JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, VOLUME: 438, NÚMERO: SUPPL
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288
TÍTULO: Spectroscopy of radiation defects in rutile TiO2  Full Text
AUTORES: Rosario, CMM; Graca, MPF ; Valente, MA ; Costa, LC ; Rodrigues, J; Monteiro, T ; Alves, E ; Sobolev, NA;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 250, NÚMERO: 4
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289
TÍTULO: Status of the MARE Experiment  Full Text
AUTORES: Ribeiro Gomes, MR; Gatti, F; Nucciotti, A; Manfrinetti, P; Galeazzi, M; Alves, E ; Bagliani, D; Barradas, N ; Basak, S; Biasotti, M; Ferri, E; Kling, A ; Pizzigoni, G; Prasai, K; Rocha, J;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, VOLUME: 23, NÚMERO: 3
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290
TÍTULO: Structural and luminescence properties of Eu and Er implanted Bi2O3 nanowires for optoelectronic applications  Full Text
AUTORES: Maria Vila; Carlos Diaz Guerra; Katharina Lorenz ; Javier Piqueras; Eduardo Alves ; Silvia Nappini; Elena Magnano;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 1, NÚMERO: 47
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