Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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391
TÍTULO: Damage recovery and optical activity in europium implanted wide gap oxides  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Marques, C; Franco, N; Alves, LC ; Peres, M; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 15th International Conference of the Radiation Effects in Insulators in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 268, NÚMERO: 19
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392
TÍTULO: Defect studies and optical activation of Yb doped GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Magalhes, S; Peres, M; Monteiro, T; Kozanecki, A; Valerio, MEG;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 16th International Conference on Defects in Insulating Materials, ICDIM2008 in Journal of Physics: Conference Series, VOLUME: 249, NÚMERO: 1
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393
TÍTULO: Defects in Irradiated ZnO Thin Films Studied by Photoluminescence and Photoconductivity
AUTORES: Schwarz, R ; Ayouchi, R ; Brandao, M ; Marques, C; Alves, E ; Pinnisch, M; Hofmann, D; Meyer, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Symposium EE on Defects in Inorganic Photovoltaic Materials held at the MRS Spring Meeting in DEFECTS IN INORGANIC PHOTOVOLTAIC MATERIALS, VOLUME: 1268
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394
TÍTULO: Depth-resolved analysis of spontaneous phase separation in the growth of lattice-matched AlInN  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Gago, R; Franco, N; di Forte D Poisson; Alves, E ; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 43, NÚMERO: 5
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395
TÍTULO: Depth-resolved analysis of spontaneous phase separation in the growth of lattice-matched AlInN  Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K ; Gago, R; Franco, N; M-A di Forte Poisson; Alves, E ; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 43, NÚMERO: 5
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396
TÍTULO: Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: Advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures  Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Lorenz, K ; Franco, N; Barradas, NP ; Alves, E ; Monteiro, T ; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices in SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
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397
TÍTULO: Effect of Eu2O3 doping on Ta2O5 crystal growth by the laser-heated pedestal technique  Full Text
AUTORES: Saggioro, BZ; Andreeta, MRB; Hernandes, AC; Macatrao, M; Peres, M; Costa, FM ; Monteiro, T ; Franco, N; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 313, NÚMERO: 1
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398
TÍTULO: Effect of grain size and hydrogen passivation on the electrical properties of nanocrystalline silicon films
AUTORES: Cerqueira, MF ; Semikina, TV; Baidus, NV; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: INTERNATIONAL JOURNAL OF MATERIALS & PRODUCT TECHNOLOGY, VOLUME: 39, NÚMERO: 1-2
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399
TÍTULO: Effects of Mg-ion implantation in alpha-Al2O3 and alpha-Al2O3:Mg crystals: Electrical conductivity and electronic structure changes  Full Text
AUTORES: Tardio, M; Colera, I; Ramirez, R; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 15th International Conference of the Radiation Effects in Insulators in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 268, NÚMERO: 19
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400
TÍTULO: Effects of Mg-ion implantation in α-Al2O3 and α-Al2O3:Mg crystals: Electrical conductivity and electronic structure changes  Full Text
AUTORES: Tardío, M; Colera, I; Ramírez, R; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, VOLUME: 268, NÚMERO: 19
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