Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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471
TÍTULO: New approaches to thermoelectric materials
AUTORES: Goncalves, AP ; Lopes, EB ; Alves, E ; Barradas, NP ; Franco, N; Rouleau, O; Godart, C;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics
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472
TÍTULO: Optical and structural properties of Eu-implanted InxAl1-xN  Full Text
AUTORES: Roqan, IS; O'Donnell, KP; Martin, RW; Trager Cowan, C; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 106, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS
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473
TÍTULO: Optical and structural properties of Eu-implanted In[sub x]Al[sub 1−x]N  Full Text
AUTORES: Roqan, IS; O’Donnell, KP; Martin, RW; Trager-Cowan, C; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 106, NÚMERO: 8
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474
TÍTULO: Optically active centers in Eu implanted, Eu in situ doped GaN, and Eu doped GaN quantum dots  Full Text
AUTORES: Bodiou, L; Braud, A; L Doualan; Moncorge, R; Park, JH; Munasinghe, C; Steckl, AJ; Lorenz, K ; Alves, E ; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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475
TÍTULO: Phase transitions in erbium-doped silicon exposed to laser radiation  Full Text
AUTORES: Batalov, RI; Bayazitov, RM; Kryzhkov, DI; Gajduk, PI; Gatskevich, EI; Ivlev, GD; Marques, CP; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED SPECTROSCOPY, VOLUME: 76, NÚMERO: 2
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476
TÍTULO: Photosensitivity of nanocrystalline ZnO films grown by PLD  Full Text
AUTORES: Ayouchi, R ; Bentes, L; Casteleiro, C; Conde, O ; Marques, CP; Alves, E ; Moutinho, AMC ; Marques, HP; Teodoro, O ; Schwarz, R ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 255, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
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477
TÍTULO: Radiation damage in ZnO ion implanted at 15 K  Full Text
AUTORES: Wendler, E; Bilani, O; Gaertner, K; Wesch, W; Hayes, M; Auret, FD; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 23rd International Conference on Atomic Collisions in Solids in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 267, NÚMERO: 16
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478
TÍTULO: Role of impurities and dislocations for the unintentional n-type conductivity in InN  Full Text
AUTORES: Darakchieva, V; Barradas, NP ; Y Xie; Lorenz, K ; Alves, E ; Schubert, M; Persson, POA; Giuliani, F; Munnik, F; Hsiao, CL; Tu, LW; Schaff, WJ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 3rd South African Conference on Photonic Materials in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 22
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479
TÍTULO: Room-Temperature Cosputtered HfO2-Al2O3 Multicomponent Gate Dielectrics
AUTORES: Pei, ZL; Pereira, L ; Goncalves, G; Barquinha, P; Franco, N; Alves, E ; Rego, AMB ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 10
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480
TÍTULO: Stable In-defect complexes in GaN and AlN  Full Text
AUTORES: Schmitz, J; Niederhausen, J; Penner, J; Lorenz, K ; Alves, E ; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 25th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
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