821
TÍTULO: Optical doping of nitrides by ion implantation  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Lorenz, K ; Vianden, R; Boemare, C; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Workshop on Advanced Materials Produced and Analyzed with Ion Beams in MODERN PHYSICS LETTERS B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28-29
INDEXADO EM: Scopus WOS
822
TÍTULO: OPTICAL DOPING OF NITRIDES BY ION IMPLANTATION  Full Text
AUTORES: ALVES, E ; LORENZ, K ; VIANDEN, R; BOEMARE, C; SOARES, MJ; MONTEIRO, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Modern Physics Letters B - Mod. Phys. Lett. B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28n29
INDEXADO EM: CrossRef: 23
823
TÍTULO: Photoluminescence and lattice location of Eu and Pr implanted GaN samples  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Boemare, C; Soares, MJ ; Ferreira, RAS ; Carlos, LD ; Lorenz, K ; Vianden, R; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
824
TÍTULO: Photoluminescence studies in ZnO samples  Full Text
AUTORES: Boemare, C; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Guilherme, JG; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
825
TÍTULO: Raman spectroscopy studies in InGaN/GaN wurtzite epitaxial films
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Monteiro, T ; Pereira, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: GaN and Related Alloys 2000 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
INDEXADO EM: Scopus
826
TÍTULO: Spectroscopic ellipsometry study of the layer structure and impurity content in Er-doped nanocrystalline silicon thin films  Full Text
AUTORES: Losurdo, M; Cerqueira, MF ; Stepikhova, MV; Alves, E ; Giangregorio, MM; Pinto, P; Ferreira, JA;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
827
TÍTULO: Strain and compositional analysis of InGaN/GaN layers
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; Trager Cowan, C; Sweeney, F; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: GaN and Related Alloys 2000 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
INDEXADO EM: Scopus
828
TÍTULO: Study of Fe+ implanted GaN  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Liu, C; Waerenborgh, JC ; da Silva, MF; Soares, JC ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 12th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM2000) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 175
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
829
TÍTULO: Study of new surface structures created on sapphire by Co ion implantation  Full Text
AUTORES: Marques, C; Cruz, MM ; da Silva, RC; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 12th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM2000) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 175
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
830
TÍTULO: Study of solid-state reactions of SiC/SiCf composites using microbeams  Full Text
AUTORES: Alves, LC ; Alves, E ; da Silva, MF; Soares, JC; Paul, A; La Barbera, A; Riccardi, B;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 7th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 181, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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