Eduardo Jorge da Costa Alves


AuthID: R-000-4EK

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821
TÍTULO: Interpretation of double x-ray diffraction peaks from InGaN layers  Full Text
AUTORES: Pereira, S ; Correia, MR ; Pereira, E; O'Donnell, KP; Alves, E ; Sequeira, AD; Franco, N;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 79, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 46
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822
TÍTULO: Microstructure and mechanical properties of nanocomposite (Ti,Si,Al)N coatings  Full Text
AUTORES: Carvalho, S ; Rebouta, L ; Cavaleiro, A ; Rocha, LA ; Gomes, J ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 28th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 398
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 86
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823
TÍTULO: Optical and structural changes of FE implanted sapphire
AUTORES: Marques, CP; Alves, EJ ; McHargue, CJ; Da Silva, MF; Soares, JC ; Correia, R; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 647
INDEXADO EM: Scopus
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824
TÍTULO: Optical characterization of AlGaN/GaN MQW's
AUTORES: Rocha, RA; Monteiro, T ; Pereira, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: GaN and Related Alloys 2000 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
INDEXADO EM: Scopus
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825
TÍTULO: Optical doping of nitrides by ion implantation  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Lorenz, K ; Vianden, R; Boemare, C; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Workshop on Advanced Materials Produced and Analyzed with Ion Beams in MODERN PHYSICS LETTERS B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28-29
INDEXADO EM: Scopus WOS
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826
TÍTULO: OPTICAL DOPING OF NITRIDES BY ION IMPLANTATION  Full Text
AUTORES: ALVES, E ; LORENZ, K ; VIANDEN, R; BOEMARE, C; SOARES, MJ; MONTEIRO, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Modern Physics Letters B - Mod. Phys. Lett. B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28n29
INDEXADO EM: CrossRef: 23
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827
TÍTULO: Photoluminescence and lattice location of Eu and Pr implanted GaN samples  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Boemare, C; Soares, MJ ; Ferreira, RAS ; Carlos, LD ; Lorenz, K ; Vianden, R; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
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828
TÍTULO: Photoluminescence studies in ZnO samples  Full Text
AUTORES: Boemare, C; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Guilherme, JG; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
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829
TÍTULO: Raman spectroscopy studies in InGaN/GaN wurtzite epitaxial films
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Monteiro, T ; Pereira, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: GaN and Related Alloys 2000 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
INDEXADO EM: Scopus
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830
TÍTULO: Spectroscopic ellipsometry study of the layer structure and impurity content in Er-doped nanocrystalline silicon thin films  Full Text
AUTORES: Losurdo, M; Cerqueira, MF ; Stepikhova, MV; Alves, E ; Giangregorio, MM; Pinto, P; Ferreira, JA;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
NO MEU: ORCID | ResearcherID | CIÊNCIAVITAE
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