Elvira Maria Correia Fortunato


AuthID: R-000-4M5

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581
TÍTULO: <title>Paper field effect transistor</title>
AUTORES: Fortunato, E ; Nuno Correia; Pedro Barquinha; Cláudia Costa; Luís Pereira ; Gonçalo Gonçalves; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
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582
TÍTULO: <title>Zinc oxide and related compounds: order within the disorder</title>
AUTORES: Martins, R; Luisa Pereira ; Barquinha, P; Ferreira, I; Prabakaran, R; Goncalves, G; Goncalves, A; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
INDEXADO EM: CrossRef
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583
TÍTULO: Application of hybrid materials in solid-state electrochromic devices  Full Text
AUTORES: Rodrigues, LC ; Barbosa, PC ; Silva, MM ; Smith, MJ ; Goncalves, A; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 31, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 17
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584
585
TÍTULO: Electrical, structural and optical characterization of copper oxide thin films as a function of post annealing temperature  Full Text
AUTORES: Figueiredo, V; Elangovan, E; Goncalves, G; Franco, N; Alves, E ; Park, SHK; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 206, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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586
TÍTULO: Electrical, structural and optical properties of fluorine-doped zinc oxide thin films: Effect of the solution aging time  Full Text
AUTORES: Rozati, SM; Moradi, S; Golshahi, S; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 2nd International Symposium on Transparent Conducting Oxides in THIN SOLID FILMS, VOLUME: 518, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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587
TÍTULO: Gate-bias stress in amorphous oxide semiconductors thin-film transistors  Full Text
AUTORES: Lopes, ME; Gomes, HL ; Medeiros, MCR; Barquinha, P ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R ; Ferreira, I ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 95, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 161
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588
TÍTULO: High mobility a-IGO films produced at room temperature and their application in TFTs
AUTORES: Gonalves, G; Barquinha, P ; Pereira, L ; Franco, N; Alves, E ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
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589
TÍTULO: High near-infrared transparency and carrier mobility of Mo doped In2O3 thin films for optoelectronics applications  Full Text
AUTORES: Parthiban, S; Elangovan, E; Ramamurthi, K; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 106, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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590
TÍTULO: High near-infrared transparent molybdenum-doped indium oxide thin films for nanocrystalline silicon solar cell applications  Full Text
AUTORES: Parthiban, S; Gokulakrishnan, V; Ramamurthi, K; Elangovan, E; Martins, R ; Fortunato, E ; Ganesan, R;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, VOLUME: 93, NÚMERO: 1
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