Elvira Maria Correia Fortunato


AuthID: R-000-4M5

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821
TÍTULO: Properties of ITO films deposited by plasma enhanced RTE on unheated polymer sheets - dependence on rf electrode distance from substrates  Full Text
AUTORES: de Carvalho, CN ; Lavareda, G ; Fortunato, E ; Amaral, A ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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822
TÍTULO: Role of substrate on the growth process of polycrystalline silicon thin films by low-pressure chemical vapour deposition
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Raniero, L; Martins, RMS ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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823
TÍTULO: Role of the rf frequency on the structure and composition of polymorphous silicon films  Full Text
AUTORES: Águas, H; Raniero, L; Pereira, L ; A.S Viana; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 338-340
INDEXADO EM: CrossRef
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824
TÍTULO: Role of the rf frequency on the structure and composition of polymorphous silicon films  Full Text
AUTORES: Aguas, H ; Raniero, L; Pereira, L ; Viana, AS ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus WOS
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825
TÍTULO: Silicon Etching in CF<sub>4</sub>/O<sub>2</sub> and SF<sub>6</sub> Atmospheres
AUTORES: Silva, A; Leandro Raniero; Ferreira, E; Hugo Águas; Luís Pereira; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: Materials Science Forum, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: CrossRef
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826
TÍTULO: Silicon etching in CF(4)/O(2) and SF(6) atmospheres
AUTORES: Silva, A; Raniero, L; Ferreira, E; Aguas, H ; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS
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827
TÍTULO: Spectral response of large area amorphous silicon solar cells
AUTORES: Raniero, L; Martins, N; Canhola, P; Pereira, S; Ferreira, I ; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: HIGH TEMPERATURE MATERIAL PROCESSES, VOLUME: 8, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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828
TÍTULO: Sputtering preparation of silicon nitride thin films for gate dielectric applications
AUTORES: Pereira, L ; Aguas, H ; Igreja, R ; Martins, RMS ; Nedev, N; Raniero, L; Fortunato, E ; Martins, R ;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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829
TÍTULO: The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order  Full Text
AUTORES: Zhang, S; Liao, X; Xu, Y; Martins, R ; Fortunato, E ; Kong, G;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 20th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 338, NÚMERO: 1 SPEC. ISS.
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830
Página 83 de 108. Total de resultados: 1076.

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