João Oliveira Ventura


AuthID: R-000-79P

Publicações Confirmadas: 236



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TÍTULO: Tailoring the physical properties of thin nanohole arrays grown on flat anodic aluminum oxide templates  Full Text
AUTORES: Leitao, DC ; Ventura, J ; Sousa, CT ; Teixeira, JM ; Sousa, JB ; Jaafar, M; Asenjo, A; Vazquez, M; De Teresa, JM; Araujo, JP ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 23, NÚMERO: 42
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 22
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TÍTULO: Magnetization processes in rectangular versus rhombic planar superlattices of magnetic bars
AUTORES: Pogorelov, YG ; Gleb Kakazei ; Teixeira, JM ; Hierro Rodriguez, A; Valdes Bango, F; Velez, M; Alameda, JM; Martin, JI; Ventura, J ; Sousa, JB ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 84, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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TÍTULO: Magnetotransport properties of La0.7Sr0.3MnO3/Nd0.6Ca0.4MnO3 superlattices up to 25 T  Full Text
AUTORES: Pinto, S; Pereira, AM ; Ventura, J ; Araujo, JP ; Hsu, D; Lin, JG;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 109, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
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TÍTULO: Nanoscale Topography: A Tool to Enhance Pore Order and Pore Size Distribution in Anodic Aluminum Oxide
AUTORES: Leitao, DC ; Apolinario, A ; Sousa, CT ; Ventura, J ; Sousa, JB ; Vazquez, M; Araujo, JP ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 115, NÚMERO: 17
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 48
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TÍTULO: Resonant Tunneling through Electronic Trapping States in Thin MgO Magnetic Junctions
AUTORES: Teixeira, JM ; Ventura, J ; Araujo, JP ; Sousa, JB ; Wisniowski, P; Cardoso, S ; Freitas, PP ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL REVIEW LETTERS, VOLUME: 106, NÚMERO: 19
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 47
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TÍTULO: Size and surface effects on the magnetic properties of NiO nanoparticles  Full Text
AUTORES: Mariana P Proenca ; Celia T Sousa ; Andre M Pereira ; Pedro B Tavares ; Joao Ventura ; Manuel Vazquez; Joao P Araujo ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, VOLUME: 13, NÚMERO: 20
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 156
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TÍTULO: The influence of argon pressure and RF power on the growth of InP thin films  Full Text
AUTORES: Hema H Chandra; Perez de la Cruz, JP ; Ventura, J ;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 26, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
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Página 18 de 24. Total de resultados: 236.

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