311
TÍTULO: DUAL-BEAM PHOTOCURRENT SPECTRA IN UNDOPED A-SI-H - ANOMALOUS BAND, OPTICAL-TRANSITION ENERGY, AND CORRELATION-ENERGY  Full Text
AUTORES: LIU, JZ; LEWEN, G; CONDE, JP ; CABARROCAS, PR;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: 15th International Conference on Amorphous Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 166, NÚMERO: PART 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
312
TÍTULO: LOW FILAMENT TEMPERATURE DEPOSITION OF A-SI-H BY CATALYTIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AUTORES: BROGUEIRA, P ; GREBNER, S; WANG, F; SCHWARZ, R ; CHU, V ; CONDE, JP ;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Symposium on Amorphous Silicon Technology, at the 1993 MRS Spring Meeting of the Materials-Research-Society in AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY-1993, VOLUME: 297
INDEXADO EM: Scopus WOS
313
TÍTULO: Response time measurements in microcrystalline silicon
AUTORES: Schwarz, R; Wang, F; Grebner, S; Fischer, T; Koynov, S; Chu, V; Brogueria, P; Conde, J ;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: Journal of Non-Crystalline Solids, VOLUME: 164-166
INDEXADO EM: CrossRef: 6
314
TÍTULO: RESPONSE-TIME MEASUREMENTS IN MICROCRYSTALLINE SILICON  Full Text
AUTORES: SCHWARZ, R ; WANG, F; GREBNER, S; FISCHER, T; KOYNOV, S; CHU, V ; BROGUEIRA, P; CONDE, J ;
PUBLICAÇÃO: 1993, FONTE: 15th International Conference on Amorphous Semiconductors in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 166, NÚMERO: PART 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
315
TÍTULO: AMORPHOUS-SILICON GERMANIUM THIN-FILM PHOTODETECTOR ARRAY
AUTORES: SHEN, DS; CONDE, JP ; CHU, V; ALJISHI, S; LIU, JZ; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
316
TÍTULO: Deposition of amorphous silicon using a tubular reactor with concentric-electrode confinement  Full Text
AUTORES: Conde, JP ; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M; Cuomo, JJ;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: CrossRef
317
TÍTULO: DEPOSITION OF AMORPHOUS-SILICON USING A TUBULAR REACTOR WITH CONCENTRIC-ELECTRODE CONFINEMENT  Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; CHAN, KK; BLUM, JM; ARIENZO, M; CUOMO, JJ;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS
318
TÍTULO: THE EFFECT OF THE FLOW OF SILANE ON THE PROPERTIES OF A-SI-H DEPOSITED BY CONCENTRIC-ELECTRODE RADIO-FREQUENCY GLOW-DISCHARGE  Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; CHAN, KK; BLUM, JM; ARIENZO, M;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS
319
TÍTULO: The effect of the flow of silane on the properties of a-Si:H deposited by concentric-electrode radio frequency glow-discharge  Full Text
AUTORES: Conde, JP ; Chan, KK; Blum, JM; Arienzo, M;
PUBLICAÇÃO: 1992, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 71, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: CrossRef
320
TÍTULO: Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon films deposited under negative substrate bias  Full Text
AUTORES: Roca i Cabarrocas, P; Morin, P; Chu, V; Conde, JP ; Liu, JZ; Park, HR; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: CrossRef
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