321
TÍTULO: OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON FILMS DEPOSITED UNDER NEGATIVE SUBSTRATE BIAS  Full Text
AUTORES: CABARROCAS, PRI; MORIN, P; CHU, V; CONDE, JP ; LIU, JZ; PARK, HR; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1991, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 69, NÚMERO: 5
INDEXADO EM: Scopus WOS
322
TÍTULO: Ambipolar diffusion length in a-Si:H(F) and a-Si,Ge:H,F measured with the steady-state photocarrier grating technique  Full Text
AUTORES: Liu, JZ; Li, X; Roca i Cabarrocas, P; Conde, JP ; Maruyama, A; Park, H; Wagner, S; Delahoy, AE;
PUBLICAÇÃO: 1990, FONTE: Twenty First IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1990 Part 2 (of 2) in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 2
INDEXADO EM: Scopus
323
TÍTULO: A-SI-H,F-REVERSIBLE-A-SI,GE-H,F GRADED-BANDGAP STRUCTURES
AUTORES: CONDE, JP ; SHEN, DS; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: INTERNATIONAL TOPICAL CONF ON HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON DEVICES AND TECHNOLOGY in IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOLUME: 36, NÚMERO: 12
INDEXADO EM: Scopus WOS
324
TÍTULO: BREAKING THE ISOTROPY OF AMORPHOUS SILICON-GERMANIUM ALLOYS - GRADED-BANDGAP AND SAWTOOTH SUPERLATTICE STRUCTURES  Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: 13TH INTERNATIONAL CONF ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 114, NÚMERO: Pt2
INDEXADO EM: Scopus WOS
325
TÍTULO: ELECTRON-TRANSPORT IN A-SI-H,F/A-SI,GE-H,F SUPERLATTICES  Full Text
AUTORES: CONDE, JP ; SHEN, DS; CHU, V; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 6, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS
326
TÍTULO: Parallel and Perpendicular Transport in a-Si:H,F/a-Si,Ge:H,F Multilayers
AUTORES: Conde, JP ; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Amorphous Silicon and Related Materials
INDEXADO EM: CrossRef
327
TÍTULO: Photocurrent collection in a Schottky barrier on an amorphous silicon-germanium alloy structure with 1.23 eV optical gap  Full Text
AUTORES: Chu, V; Conde, JP ; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: CrossRef
328
TÍTULO: PHOTOCURRENT COLLECTION IN A SCHOTTKY-BARRIER ON AN AMORPHOUS SILICON-GERMANIUM ALLOY STRUCTURE WITH 1.23 EV OPTICAL GAP  Full Text
AUTORES: CHU, V; CONDE, JP ; SHEN, DS; WAGNER, S;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 55, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS
329
TÍTULO: THE OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF A-SI,GE-H(F) ALLOYS  Full Text
AUTORES: WAGNER, S; CHU, V; CONDE, JP ; LIU, JZ;
PUBLICAÇÃO: 1989, FONTE: 13TH INTERNATIONAL CONF ON AMORPHOUS AND LIQUID SEMICONDUCTORS in JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, VOLUME: 114, NÚMERO: PART 2
INDEXADO EM: Scopus WOS
330
TÍTULO: Amorphous silicon-germanium alloy multilayers for solar cells  Full Text
AUTORES: Conde, JP ; Chu, V; Tanaka, S; Shen, DS; Wagner, S;
PUBLICAÇÃO: 1988, FONTE: Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1988 in Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, VOLUME: 1
INDEXADO EM: Scopus
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