Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

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TÍTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics  Full Text
AUTORES: Valdueza Felip, S; Bellet Amalric, E; Nunez Cascajero, A; Wang, Y; P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K ; Alves, E ; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: WOS
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TÍTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics  Full Text
AUTORES: Valdueza-Felip, S; Bellet-Amalric, E; Núñez-Cascajero, A; Wang, Y; M.-P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K ; Alves, E ; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: CrossRef
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TÍTULO: High optical and structural quality of GaN epilayers grown on ((2)over-bar01) beta-Ga2O3  Full Text
AUTORES: Muhammed, MM; Peres, M; Yamashita, Y; Morishima, Y; Sato, S; Franco, N; Lorenz, K ; Kuramata, A; Roqan, IS;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 105, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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TÍTULO: Intense luminescence emission from rare-earth-doped MoO3 nanoplates and lamellar crystals for optoelectronic applications  Full Text
AUTORES: Vila, M; Diaz Guerra, C; Jerez, D; Lorenz, K ; Piqueras, J; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 35
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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TÍTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: a review
AUTORES: Marques, JG ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: OPTICAL ENGINEERING, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: WOS CrossRef
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TÍTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: a review (vol 53, 060901, 2014)
AUTORES: Jose G Marques; Katharina Lorenz ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: OPTICAL ENGINEERING, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: WOS
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TÍTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: an integrated review
AUTORES: Marques, JG ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
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TÍTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO<inf>3</inf>: A review
AUTORES: Marques, JG ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
INDEXADO EM: Scopus
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TÍTULO: Sequential multiple-step europium ion implantation and annealing of GaN. Sequential multiple-step europium ion implantation and annealing of GaN  Full Text
AUTORES: Miranda, SMC; Edwards, PR; O'Donnell, KP; Bockowski, M; Alves, E ; Roqan, IS; Vantomme, A; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: E-MRS Spring Meeting / Symposium J - Semicond Nanostructures towards Elect and Optoelectron Device Applicat - IV / Symposium L - Grp III Nitrides / Symposium P - Funct Nanowires - Synth, Characterizat and Applicat in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 2, VOLUME: 11, NÚMERO: 2
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140
TÍTULO: Structural and optical properties of Ga auto-incorporated InAlN epilayers  Full Text
AUTORES: Taylor, E; Smith, MD; Sadler, TC; Lorenz, K ; Li, HN; Alves, E ; Parbrook, PJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 408
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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