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212

TÃTULO: Alloy and lattice disorder in Hf implanted Full Text
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz ; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24

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TÃTULO: Alloy and lattice disorder in Hf implanted AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) Full Text
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz ; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 25th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24

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TÃTULO: Breakdown of anomalous channeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Gago, R; Franco, N; Fernandez Garrido, S; Smulders, PJM; Munoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 95, NÚMERO: 5

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TÃTULO: Breakdown of anomalous channeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K ; Gago, R; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 95, NÚMERO: 5

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TÃTULO: Europium doping of zincblende GaN by ion implantation Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Roqan, IS; Franco, N; O'Donnell, KP; Darakchieva, V; Alves, E ; Trager Cowan, C; Martin, RW; As, DJ; Panfilova, M;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 11

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TÃTULO: Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Franco, N; Fernandez Garrido, S; Gago, R; Smulders, PJM; Munoz, E; Calleja, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 42, NÚMERO: 6

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TÃTULO: Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K ; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Gago, R; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 42, NÚMERO: 6

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TÃTULO: Influence of the AlN molar fraction on the structural and optical properties of praseodymium-doped AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) alloys Full Text
AUTORES: Peres, M; Magalhaes, S; Franco, N; Soares, MJ ; Neves, AJ ; Alves, E ; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Symposium on Wide Band Gap Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications held at the 2008 E-MRS Conference in MICROELECTRONICS JOURNAL, VOLUME: 40, NÚMERO: 2

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220

TÃTULO: Investigation of different mechanisms of GaN growth induced on AlN and GaN nucleation layers Full Text
AUTORES: Tasco, V; Campa, A; Tarantini, I; Passaseo, A; Gonzalez Posada, F; Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Franco, N; Munoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 105, NÚMERO: 6

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