Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

Publicações Confirmadas: 314



221
TÍTULO: Optical and Structural Properties of an Eu Implanted Gallium Nitride Quantum Dots/Aluminium Nitride Superlattice
AUTORES: Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ; Magalhaes, S; Franco, N; Lorenz, K ; Alves, E ; Damilano, B; Massies, J; Dussaigne, A; Grandjean, N;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 2nd International Conference on Advanced Nano Materials in JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
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222
TÍTULO: Optical doping and damage formation in AlN by Eu implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Gloux, F; Ruterana, P; Peres, M; Neves, AJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 107, NÚMERO: 2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 27
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223
TÍTULO: RE Implantation and Annealing of III-Nitrides
AUTORES: Katharina Lorenz ; Eduardo Alves ; Florence Gloux; Pierre Ruterana;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: RARE EARTH DOPED III-NITRIDES FOR OPTOELECTRONIC AND SPINTRONIC APPLICATIONS, VOLUME: 124
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224
TÍTULO: The Characterization of N Interstitials and Dangling Bond Point Defects on Ion-Implanted GaN Nanowires Studied by Photoluminescence and X-Ray Absorption Spectroscopy. Rapid Communications of the American Ceramic Society  Full Text
AUTORES: Kuo Hao Lee; Jau Wern Chiou; Jin Ming Chen; Jyh Fu Lee; Alain Braud; Katharina Lorenz ; Eduardo Alves ; In Gann Chen;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, VOLUME: 93, NÚMERO: 11
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225
TÍTULO: Thin film depth profiling using simultaneous particle backscattering and nuclear resonance profiling  Full Text
AUTORES: Barradas, NP ; Mateus, R ; Fonseca, M. ; Miguel A. Reis ; Lorenz, K ; Vickridge, I;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 19th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 268, NÚMERO: 11-12
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226
TÍTULO: Total reflectance and Raman studies in AlyInxGa1-x-yN epitaxial layers  Full Text
AUTORES: Margarida M Bola; Correia, MR ; Pereira, S ; Gonzalez, JC; Lorenz, K ; Alves, E ; Barradas, N ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Symposium on Group III Nitride Semiconductors held at the 2009 EMRS Spring Meeting in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 1, VOLUME: 7, NÚMERO: 1
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227
TÍTULO: Alloy and lattice disorder in Hf implanted  Full Text
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz ; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
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228
TÍTULO: Alloy and lattice disorder in Hf implanted AlxGa1-xN (0 <= x <= 1)  Full Text
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz ; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: 25th International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
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229
TÍTULO: Breakdown of anomalous channeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures  Full Text
AUTORES: Redondo Cubero, A ; Lorenz, K ; Gago, R; Franco, N; Fernandez Garrido, S; Smulders, PJM; Munoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
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230
TÍTULO: Breakdown of anomalous channeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures  Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K ; Gago, R; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
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