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261

TÃTULO: Lattice order in thulium-doped GaN epilayers: In situ doping versus ion implantation Full Text
AUTORES: Hernández, S; Cuscó, R; Artús, L; Nogales, E; R.W Martin; K.P O’Donnell; Halambalakis, G; Briot, O; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7

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TÃTULO: Optical and structural studies in Eu-implanted AlN films Full Text
AUTORES: Peres, M; Cruz, A; Soares, MJ ; Neves, AJ ; Monteiro, T ; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors held at the 2006 Spring Meeting of the EMRS in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 40, NÚMERO: 4-6

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TÃTULO: Optical doping of AlN by rare earth implantation Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Peres, M; Smulders, PJM;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 14th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM 2004) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 242, NÚMERO: 1-2

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TÃTULO: Optical properties of high-temperature annealed Eu-implanted GaN Full Text
AUTORES: Wang, K; Martin, RW; Nogales, E; Katchkanov, V; O'Donnell, KP; Hernandez, S; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7

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265

TÃTULO: Rare earth ion implantation in GaN: Damage formation and recovery
AUTORES: Gloux, F; Ruterana, P; Wojtowicz, T; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 35th International School on the Physics of Semiconducting Compounds in ACTA PHYSICA POLONICA A, VOLUME: 110, NÚMERO: 2

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TÃTULO: Structure and role of ultrathin AlN layers for improving optical activation of rare earth implanted GaN Full Text
AUTORES: Wojtowicz, T; Gloux, F; Ruterana, P; Nouet, G; Bodiou, L; Braud, A; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 243, NÚMERO: 7

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TÃTULO: Structure and role of ultrathin AlN layers for improving optical activation of rare earth implanted GaN Full Text
AUTORES: Wójtowicz, T; Gloux, F; Ruterana, P; Nouet, G; Bodiou, L; Braud, A; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: physica status solidi (b) - phys. stat. sol. (b), VOLUME: 243, NÚMERO: 7

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268

TÃTULO: TEM investigation of Tm implanted GaN, the influence of high temperature annealing Full Text
AUTORES: Wojtowicz, T; Gloux, F; Ruterana, P; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7

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