Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

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TÍTULO: Ion beam induced current analysis in GaN microwires  Full Text
AUTORES: Dirkjan Verheij; Marco Peres; Susana Cardoso ; Luís Cerqueira Alves; Eduardo Alves ; Cristophe Durand; Joël Eymery; Jorge Fernandes; Katharina Lorenz ;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: EPJ Web of Conferences, VOLUME: 233
INDEXADO EM: CrossRef: 1 Handle
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TÍTULO: Size control of GaN nanocrystals formed by ion implantation in thermally grown silicon dioxide
AUTORES: Filintoglou, K; Pinakidou, F; Arvanitidis, J; Christofilos, D; Paloura, EC; Ves, S; Kutza, P; Lorenz, P; Gerlach, P; Wendler, E; Undisz, A; Rettenmayr, M; Milchanin, O; Komarov, FF; Lorenz, K ; Katsikini, M;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 127, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 3
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TÍTULO: Suitability of 3D printed pieces of nanocrystalline zirconia for dental applications  Full Text
AUTORES: Branco, AC; Silva, R; Santos, T; Jorge, H; Rodrigues, AR; Fernandes, R; Bandarra, S; Barahona, I; Matos, APA; Lorenz, K ; POLIDO, MARIO ; Colaco, R; Serro, AP ; Figueiredo Pina, CG ;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: DENTAL MATERIALS, VOLUME: 36, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 10
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TÍTULO: Tribological performance of the pair human teeth vs 3D printed zirconia: An in vitro chewing simulation study  Full Text
AUTORES: Branco, AC; Silva, R; Jorge, H; Santos, T; Lorenz, K ; POLIDO, MARIO ; Colaco, R; Serro, AP ; Figueiredo Pina, CG ;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: JOURNAL OF THE MECHANICAL BEHAVIOR OF BIOMEDICAL MATERIALS, VOLUME: 110
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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TÍTULO: XANES/EXAFS study of the Lu and Y incorporation in the single crystal Tb3Sc2Al3O12 Faraday rotator
AUTORES: Biquard, X; Villora, EG; Shimamura, K; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 127, NÚMERO: 11
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 7
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46
TÍTULO: Engineering strain and conductivity of MoO<inf>3</inf> by ion implantation  Full Text
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Díaz Guerra; Marco Peres; Sérgio Magalhães; João G Correia ; José G Marques ; Ana G Silva ; Eduardo Alves ; Katharina Lorenz ;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Acta Materialia, VOLUME: 169
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 7
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TÍTULO: Eu Activation in beta-Ga2O3 MOVPE Thin Films by Ion Implantation
AUTORES: Peres, M; Nogales, E; Mendez, B; Lorenz, K ; Correia, MR; Monteiro, T ; Ben Sedrine, N;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 8, NÚMERO: 7
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 15 Handle
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TÍTULO: Incorporation of Europium into GaN Nanowires by Ion Implantation
AUTORES: Faye, DN; Biquard, X; Nogales, E; Felizardo, M ; Peres, M; Redondo Cubero, A; Auzelle, T; Daudin, B; Tizei, LHG; Kociak, M; Ruterana, P; Möller, W; Méndez, B; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 123, NÚMERO: 18
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 13
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TÍTULO: Luminescence properties of MOCVD grown Al0.2Ga0.8N layers implanted with Tb
AUTORES: Rodrigues, J; Fialho, M; Magalhaes, S; Lorenz, K ; Alves, E ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: JOURNAL OF LUMINESCENCE, VOLUME: 210
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1 Handle
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50
TÍTULO: Measuring strain caused by ion implantation in GaN
AUTORES: Mendes, P; Lorenz, K ; Alves, E ; Schwaiger, S; Scholz, F; Magalhaes, S;
PUBLICAÇÃO: 2019, FONTE: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 98
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 15 Handle
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