111
TÍTULO: Interpreting anomalies observed in oxide semiconductor TFTs under negative and positive bias stress  Full Text
AUTORES: Jong Woo Jin; Arokia Nathan; Pedro Barquinha; Luis Pereira ; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins; Brian Cobb;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: AIP ADVANCES, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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112
TÍTULO: Gap states in the electronic structure of SnO2 single crystals and amorphous SnOx thin films  Full Text
AUTORES: Haeberle, J; Machulik, S; Janowitz, C; Manzke, R; Gaspar, D; Barquinha, P; Schmeisser, D;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 120, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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113
TÍTULO: Transistors: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation (Adv. Electron. Mater. 9/2016)
AUTORES: Grey, P; Pereira, L ; Pereira, S; Barquinha, P; Cunha, I; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Advanced Electronic Materials, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus CrossRef
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114
TÍTULO: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira ; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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115
TÍTULO: The 2016 oxide electronic materials and oxide interfaces roadmap  Full Text
AUTORES: Lorenz, M; Rao, MSR; Venkatesan, T; Fortunato, E; Barquinha, P; Branquinho, R; Salgueiro, D; Martins, R; Carlos, E; Liu, A; Shan, FK; Grundmann, M; Boschker, H; Mukherjee, J; Priyadarshini, M; DasGupta, N; Rogers, DJ; Teherani, FH; Sandana, EV; Bove, P; Rietwyk, K; Zaban, A; Veziridis, A; Weidenkaff, A; Muralidhar, M; Murakami, M; Abel, S; Fompeyrine, J; Zuniga Perez, J; Ramesh, R; Spaldin, NA; Ostanin, S; Borisov, V; Mertig, I; Lazenka, V; Srinivasan, G; Prellier, W; Uchida, M; Kawasaki, M; Pentcheva, R; Gegenwart, P; Granozio, FM; Fontcuberta, J; Pryds, N; ...Mais
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 43
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 268
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116
TÍTULO: A compact model and direct parameters extraction techniques For amorphous gallium-indium-zinc-oxide thin film transistors  Full Text
AUTORES: Moldovan, O; Castro Carranza, A; Cerdeira, A; Estrada, M; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E ; Miljakovic, S; Iniguez, B;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SOLID-STATE ELECTRONICS, VOLUME: 126
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 25
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117
TÍTULO: A spectroscopic comparison of IGZO thin films and the parent In2O3, Ga2O3, and ZnO single crystals
AUTORES: Haeberle, J; Brizzi, S; Gaspar, D; Barquinha, P; Galazka, Z; Schulz, D; Schmeisser, D;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: MATERIALS RESEARCH EXPRESS, VOLUME: 3, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
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118
TÍTULO: Photocatalytic behavior of TiO2 films synthesized by microwave irradiation  Full Text
AUTORES: Nunes, D; Pimentel, A; Pinto, JV; Calmeiro, TR; Nandy, S; Barquinha, P; Pereira, L ; Carvalho, PA; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: CATALYSIS TODAY, VOLUME: 278
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 38
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119
TÍTULO: UV-Mediated Photochemical Treatment for Low-Temperature Oxide-Based Thin-Film Transistors
AUTORES: Carlos, E; Branquinho, R; Kiazadeh, A; Barquinha, P; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, VOLUME: 8, NÚMERO: 45
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 62
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120
TÍTULO: A High-Gain, High-Speed Parametric Residue Amplifier for SAR-Assisted Pipeline ADCs
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni; Joao Goes; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD) in 2016 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SYNTHESIS, MODELING, ANALYSIS AND SIMULATION METHODS AND APPLICATIONS TO CIRCUIT DESIGN (SMACD)
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