Pedro Miguel Cândido Barquinha
AuthID: R-000-EY1
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TÃTULO: Self-Rechargeable Paper Thin-Film Batteries: Performance and Applications Full Text
AUTORES: Ferreira, I; Bras, B; Correia, N; Barquinha, P; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
AUTORES: Ferreira, I; Bras, B; Correia, N; Barquinha, P; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Self-Rechargeable Paper Thin-Film Batteries: Performance and Applications Full Text
AUTORES: Ferreira, I; Bras, B; Correia, N; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
AUTORES: Ferreira, I; Bras, B; Correia, N; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
INDEXADO EM: 
WOS
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ORCID163
TÃTULO: High Mobility a-IGO Films Produced at Room Temperature and Their Application in TFTs
AUTORES: Goncalves, G; Barquinha, P; Pereira, L ; Franco, N; Alves, E ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: Goncalves, G; Barquinha, P; Pereira, L ; Franco, N; Alves, E ; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 13, NÚMERO: 1
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ORCID164
TÃTULO: P-202L: Late-news poster: Long-term stability of oxide semiconductor-based TFTs Full Text
AUTORES: Barquinha, P; Pereira, L ; Goncalves, G; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 48th Annual SID Symposium, Seminar, and Exhibition 2010, Display Week 2010 in 48th Annual SID Symposium, Seminar, and Exhibition 2010, Display Week 2010, VOLUME: 3, NÚMERO: 1
AUTORES: Barquinha, P; Pereira, L ; Goncalves, G; Martins, R ; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 48th Annual SID Symposium, Seminar, and Exhibition 2010, Display Week 2010 in 48th Annual SID Symposium, Seminar, and Exhibition 2010, Display Week 2010, VOLUME: 3, NÚMERO: 1
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TÃTULO: P-202L: Late-news poster: Long-term stability of oxide semiconductor-based TFTs
AUTORES: Barquinha, P; Pereira, L ; Goncalves, G; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Digest of Technical Papers - SID International Symposium, VOLUME: 41 1
AUTORES: Barquinha, P; Pereira, L ; Goncalves, G; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Digest of Technical Papers - SID International Symposium, VOLUME: 41 1
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TÃTULO: Erratum: “Thin-film transistors based on p-type Cu[sub 2]O thin films produced at room temperature” [Appl. Phys. Lett. 96, 192102 (2010)] Full Text
AUTORES: Elvira Fortunato ; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Gonçalo Gonçalves; Sang-Hee Ko Park; Chi-Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
AUTORES: Elvira Fortunato ; Vitor Figueiredo; Pedro Barquinha; Elangovan Elamurugu; Raquel Barros; Gonçalo Gonçalves; Sang-Hee Ko Park; Chi-Sun Hwang; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 96, NÚMERO: 23
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TÃTULO: <title>Floating gate memory paper transistor</title>
AUTORES: Martins, R; Pereira, L ; Barquinha, P; Correia, N; Gonçalves, G; Ferreira, I; Dias, C; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Oxide-based Materials and Devices
AUTORES: Martins, R; Pereira, L ; Barquinha, P; Correia, N; Gonçalves, G; Ferreira, I; Dias, C; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Oxide-based Materials and Devices
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TÃTULO: High Mobility a-IGO Films Produced at Room Temperature and Their Application in TFTs
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L ; Franco, N; Alves, E ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
AUTORES: Gonçalves, G; Barquinha, P; Pereira, L ; Franco, N; Alves, E ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Electrochemical and Solid-State Letters - Electrochem. Solid-State Lett., VOLUME: 13, NÚMERO: 1
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TÃTULO: Room-Temperature Cosputtered HfO2-Al2O3 Multicomponent Gate Dielectrics
AUTORES: Pei, ZL; Pereira, L ; Goncalves, G; Barquinha, P; Franco, N; Alves, E ; Rego, AMB ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 10
AUTORES: Pei, ZL; Pereira, L ; Goncalves, G; Barquinha, P; Franco, N; Alves, E ; Rego, AMB ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 10
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TÃTULO: <title>Paper field effect transistor</title>
AUTORES: Fortunato, E ; Nuno Correia; Pedro Barquinha; Cláudia Costa; Luís Pereira ; Gonçalo Gonçalves; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
AUTORES: Fortunato, E ; Nuno Correia; Pedro Barquinha; Cláudia Costa; Luís Pereira ; Gonçalo Gonçalves; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
