Rodrigo Ferrao Paiva Martins
AuthID: R-000-FKV
201
TÃTULO: Mapping the Electrical Properties of ZnO-Based Transparent Conductive Oxides Grown at Room Temperature and Improved by Controlled Postdeposition Annealing
AUTORES: Lyubchyk, A; Vicente, A; Soule, B; Alves, PU; Mateus, T; Mendes, MJ; Aguas, H; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 1
AUTORES: Lyubchyk, A; Vicente, A; Soule, B; Alves, PU; Mateus, T; Mendes, MJ; Aguas, H; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 1
202
TÃTULO: Charging effects and surface potential variations of Cu-based nanowires Full Text
AUTORES: Nunes, D; Calmeiro, TR; Nandy, S; Pinto, JV; Pimentel, A; Barquinha, P; Carvalho, PA; Walmsley, JC; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 601
AUTORES: Nunes, D; Calmeiro, TR; Nandy, S; Pinto, JV; Pimentel, A; Barquinha, P; Carvalho, PA; Walmsley, JC; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 601
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TÃTULO: A thermalization energy analysis of the threshold voltage shift in amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors under positive gate bias stress Full Text
AUTORES: Niang, KM; Barquinha, PMC; Martins, RFP; Cobb, B; Powell, MJ; Flewitt, AJ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 9
AUTORES: Niang, KM; Barquinha, PMC; Martins, RFP; Cobb, B; Powell, MJ; Flewitt, AJ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 9
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TÃTULO: InGaZnO TFT behavioral model for IC design Full Text
AUTORES: Pydi Bahubalindrun ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, VOLUME: 87, NÚMERO: 1
AUTORES: Pydi Bahubalindrun ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, VOLUME: 87, NÚMERO: 1
205
TÃTULO: Electrochemical Transistor Based on Tungsten Oxide with Optoelectronic Properties
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira ; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira ; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
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TÃTULO: InGaZnO Thin-Film-Transistor-Based Four-Quadrant High-Gain Analog Multiplier on Glass
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Jerome Borme; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato ; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 4
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Jerome Borme; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato ; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 4
207
TÃTULO: Eco-friendly, solution-processed In-W-O thin films and their applications in low-voltage, high-performance transistors Full Text
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 4, NÚMERO: 20
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 4, NÚMERO: 20
208
TÃTULO: The influence of target erosion grade in the optoelectronic properties of AZO coatings growth by magnetron sputtering Full Text
AUTORES: Zubizarreta, C; Berasategui, EG; Ciarsolo, I; Barriga, J; Gaspar, D; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 10th International Conference on Surfaces, Coatings and Nano-Structured Materials (NANOSMAT) in APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 380
AUTORES: Zubizarreta, C; Berasategui, EG; Ciarsolo, I; Barriga, J; Gaspar, D; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 10th International Conference on Surfaces, Coatings and Nano-Structured Materials (NANOSMAT) in APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 380
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TÃTULO: Transparent field-effect transistors based on AlN-gate dielectric and IGZO-channel semiconductor Full Text
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 379
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 379
INDEXADO EM: 
WOS
WOS210
TÃTULO: Design of optimized wave-optical spheroidal nanostructures for photonic-enhanced solar cells Full Text
AUTORES: Manuel J Mendes; Andreia Araujo; Antonio Vicente; Hugo Aguas; Isabel Ferreira; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: NANO ENERGY, VOLUME: 26
AUTORES: Manuel J Mendes; Andreia Araujo; Antonio Vicente; Hugo Aguas; Isabel Ferreira; Elvira Fortunato ; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: NANO ENERGY, VOLUME: 26
