Rodrigo Ferrao Paiva Martins
AuthID: R-000-FKV
371
TÃTULO: Localization of excitation in InGaN epilayers Full Text
AUTORES: Kachkanov, V; O'Donnell, KP; Pereira, S ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: PHILOSOPHICAL MAGAZINE, VOLUME: 87, NÚMERO: 13
AUTORES: Kachkanov, V; O'Donnell, KP; Pereira, S ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: PHILOSOPHICAL MAGAZINE, VOLUME: 87, NÚMERO: 13
372
TÃTULO: 3 dimensional polymorphous silicon based metal-insulator-semiconductor position sensitive detectors Full Text
AUTORES: Águas, H; Pereira, S; Costa, D; Barquinha, P; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 515, NÚMERO: 19
AUTORES: Águas, H; Pereira, S; Costa, D; Barquinha, P; Pereira, L ; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 515, NÚMERO: 19
373
TÃTULO: Influence of post-annealing temperature on the properties exhibited by ITO, IZO and GZO thin films Full Text
AUTORES: Gonçalves, G; Elangovan, E; Barquinha, P; Pereira, L ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 515, NÚMERO: 24
AUTORES: Gonçalves, G; Elangovan, E; Barquinha, P; Pereira, L ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 515, NÚMERO: 24
374
TÃTULO: Corrigendum to “Nickel assisted metal induced crystallization of silicon: Effect of native silicon oxide layer” [Thin Solid Films 511–512 (2006) 275–279] Full Text
AUTORES: Pereira, L ; R.M.S Martins; Schell, N; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 516, NÚMERO: 1
AUTORES: Pereira, L ; R.M.S Martins; Schell, N; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2007, FONTE: Thin Solid Films, VOLUME: 516, NÚMERO: 1
375
TÃTULO: UV-Raman scattering study of lattice recovery by thermal annealing of Eu+-implanted GaN layers Full Text
AUTORES: Pastor, D; Hernandez, S; Cusco, R; Artus, L; Martin, RW; O'Donnell, KP; Briot, O; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors held at the 2006 Spring Meeting of the EMRS in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 40, NÚMERO: 4-6
AUTORES: Pastor, D; Hernandez, S; Cusco, R; Artus, L; Martin, RW; O'Donnell, KP; Briot, O; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors held at the 2006 Spring Meeting of the EMRS in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 40, NÚMERO: 4-6
376
TÃTULO: Blue cathodoluminescence from thulium implanted AlxGa1-xN and InxAl1-xN Full Text
AUTORES: Roqan, IS; Lorenz, K ; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Martin, RW; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors held at the 2006 Spring Meeting of the EMRS in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 40, NÚMERO: 4-6
AUTORES: Roqan, IS; Lorenz, K ; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Martin, RW; Watson, IM; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Symposium on Material Science and Technology of Wide Bandgap Semiconductors held at the 2006 Spring Meeting of the EMRS in SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, VOLUME: 40, NÚMERO: 4-6
377
TÃTULO: Local structure of luminescent InGaN alloys Full Text
AUTORES: Kachkanov, V; O'Donnell, KP; Martin, RW; Mosselmans, JFW; Pereira, S ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 89, NÚMERO: 10
AUTORES: Kachkanov, V; O'Donnell, KP; Martin, RW; Mosselmans, JFW; Pereira, S ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 89, NÚMERO: 10
378
TÃTULO: Optical properties of high-temperature annealed Eu-implanted GaN Full Text
AUTORES: Wang, K; Martin, RW; Nogales, E; Katchkanov, V; O'Donnell, KP; Hernandez, S; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
AUTORES: Wang, K; Martin, RW; Nogales, E; Katchkanov, V; O'Donnell, KP; Hernandez, S; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: Meeting of the European-Materials-Research-Society in OPTICAL MATERIALS, VOLUME: 28, NÚMERO: 6-7
379
TÃTULO: Failure mechanism of AlN nanocaps used to protect rare earth-implanted GaN during high temperature annealing Full Text
AUTORES: Nogales, E; Martin, RW; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 88, NÚMERO: 3
AUTORES: Nogales, E; Martin, RW; O'Donnell, KP; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruffenach, S; Briot, O;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 88, NÚMERO: 3
380
TÃTULO: Depth profiling of ion-implanted AlInN using time-of-flight secondary ion mass spectrometry and cathodoluminescence Full Text
AUTORES: Martin, RW; Rading, D; Kersting, R; Tallarek, E; Nogales, E; Amabile, D; Wang, K; Katchkanov, V; Trager Cowan, C; O'Donnell, KP; Watson, IM; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) in Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, Vol 3, No 6, VOLUME: 3, NÚMERO: 6
AUTORES: Martin, RW; Rading, D; Kersting, R; Tallarek, E; Nogales, E; Amabile, D; Wang, K; Katchkanov, V; Trager Cowan, C; O'Donnell, KP; Watson, IM; Matias, V; Vantomme, A; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) in Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, Vol 3, No 6, VOLUME: 3, NÚMERO: 6
