281
TÍTULO: Performance of resistive-charge position sensitive detectors for RBS/Channeling applications  Full Text
AUTORES: Miranda, PA; Wahl, U; Catarino, N; Ribeiro R da Silva; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, VOLUME: 760
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282
TÍTULO: Determination of Ga auto-incorporation in nominal InAlN epilayers grown by MOCVD  Full Text
AUTORES: Smith, MD; Taylor, E; Sadler, TC; Zubialevich, VZ; Lorenz, K; Li, HN; O'Connell, J; Alves, E; Holmes, JD; Martin, RW; Parbrook, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 2, NÚMERO: 29
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283
TÍTULO: Thermal Properties of Holmium-Implanted Gold Films  Full Text
AUTORES: Prasai, K; Alves, E; Bagliani, D; Basak B Yanardag; Biasotti, M; Galeazzi, M; Gatti, F; Ribeiro Gomes, MR; Rocha, J; Uprety, Y;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS, VOLUME: 176, NÚMERO: 5-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
284
TÍTULO: Intense luminescence emission from rare-earth-doped MoO3 nanoplates and lamellar crystals for optoelectronic applications  Full Text
AUTORES: Vila, M; Diaz Guerra, C; Jerez, D; Lorenz, K; Piqueras, J; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 47, NÚMERO: 35
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
285
TÍTULO: Structural and optical properties of Ga auto-incorporated InAlN epilayers  Full Text
AUTORES: Taylor, E; Smith, MD; Sadler, TC; Lorenz, K; Li, HN; Alves, E; Parbrook, PJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 408
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
286
TÍTULO: GaN:Pr3+ nanostructures for red solid state light emission
AUTORES: Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Felizardo, M ; Soares, MJ; Alves, E; Neves, AJ; Fellmann, V; Tourbot, G; Auzelle, T; Daudin, B; Bockowski, M; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 4, NÚMERO: 108
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
287
TÍTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics  Full Text
AUTORES: Valdueza Felip, S; Bellet Amalric, E; Nunez Cascajero, A; Wang, Y; P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: WOS
288
TÍTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics  Full Text
AUTORES: Valdueza-Felip, S; Bellet-Amalric, E; Núñez-Cascajero, A; Wang, Y; M.-P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: CrossRef
289
TÍTULO: CHARACTERIZATION OF GaInSb CRYSTAL OBTAINED BY CZOCHRALSKI METHOD
AUTORES: Morgana Streicher; Victoria Corrigidor; L.C. Alves; N. Franco; E. Alves; Eleani M da Costa; Berenice A Dedavid;
PUBLICAÇÃO: 2014
INDEXADO EM: Handle
290
TÍTULO: Meshless analysis of shear deformable shells: the linear model  Full Text
AUTORES: Jorge C Costa; Carlos M Tiago ; Paulo M Pimenta;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: COMPUTATIONAL MECHANICS, VOLUME: 52, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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