Elvira Maria Correia Fortunato
AuthID: R-000-4M5
311
TÃTULO: Infection of human keratinocytes by Streptococcus dysgalactiae subspecies dysgalactiae isolated from milk of the bovine udder Full Text
AUTORES: Roma Rodrigues, C; Alves Barroco, C; Raposo, LR; Costa, MN; Fortunato, E; Baptista, PV; Fernandes, AR; Santos Sanches, I;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: MICROBES AND INFECTION, VOLUME: 18, NÚMERO: 4
AUTORES: Roma Rodrigues, C; Alves Barroco, C; Raposo, LR; Costa, MN; Fortunato, E; Baptista, PV; Fernandes, AR; Santos Sanches, I;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: MICROBES AND INFECTION, VOLUME: 18, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: 
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WOS
Scopus WOS NO MEU: 
ORCID
ORCID312
TÃTULO: Electrochemical Transistor Based on Tungsten Oxide with Optoelectronic Properties
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
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TÃTULO: InGaZnO Thin-Film-Transistor-Based Four-Quadrant High-Gain Analog Multiplier on Glass
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Jerome Borme; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 4
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Jerome Borme; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Transparent field-effect transistors based on AlN-gate dielectric and IGZO-channel semiconductor Full Text
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Applied Surface Science, VOLUME: 379
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Applied Surface Science, VOLUME: 379
315
TÃTULO: Exploring the potential of laser assisted flow deposition grown ZnO for photovoltaic applications Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Cerqueira, AFR; Sousa, MG; Santos, NF; Pimentel, A; Fortunato, E; da Cunha, AF; Monteiro, T; Costa, FM;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, VOLUME: 177
AUTORES: Rodrigues, J; Cerqueira, AFR; Sousa, MG; Santos, NF; Pimentel, A; Fortunato, E; da Cunha, AF; Monteiro, T; Costa, FM;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS, VOLUME: 177
316
TÃTULO: Eco-friendly, solution-processed In-W-O thin films and their applications in low-voltage, high-performance transistors Full Text
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 4, NÚMERO: 20
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 4, NÚMERO: 20
317
TÃTULO: The influence of target erosion grade in the optoelectronic properties of AZO coatings growth by magnetron sputtering Full Text
AUTORES: Zubizarreta, C; Berasategui, EG; Ciarsolo, I; Barriga, J; Gaspar, D; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 10th International Conference on Surfaces, Coatings and Nano-Structured Materials (NANOSMAT) in APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 380
AUTORES: Zubizarreta, C; Berasategui, EG; Ciarsolo, I; Barriga, J; Gaspar, D; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 10th International Conference on Surfaces, Coatings and Nano-Structured Materials (NANOSMAT) in APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 380
318
TÃTULO: Transparent field-effect transistors based on AlN-gate dielectric and IGZO-channel semiconductor Full Text
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 379
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 379
INDEXADO EM: WOS
WOS319
TÃTULO: Design of optimized wave-optical spheroidal nanostructures for photonic-enhanced solar cells Full Text
AUTORES: Manuel J Mendes; Andreia Araujo; Antonio Vicente; Hugo Aguas; Isabel Ferreira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: NANO ENERGY, VOLUME: 26
AUTORES: Manuel J Mendes; Andreia Araujo; Antonio Vicente; Hugo Aguas; Isabel Ferreira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: NANO ENERGY, VOLUME: 26
320
TÃTULO: Hole mobility modulation of solution-processed nickel oxide thin-film transistor based on high-k dielectric Full Text
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 23
AUTORES: Ao Liu; Guoxia X Liu; Huihui H Zhu; Byoungchul Shin; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Fukai K Shan;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 23
