Sérgio Nuno Canteiro de Magalhães
AuthID: R-001-JX8
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TÃTULO: Structural and optical properties of in situ Eu-doped ZnCdO/ZnMgO superlattices grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy Full Text
AUTORES: Lysak, Anastasiia; Wierzbicka, Aleksandra; Magalhaes, Sergio; Dluzewski, Piotr; Jakiela, Rafal; Szot, Michal; Khosravizadeh, Zeinab; Adhikari, Abinash; Kozanecki, Adrian; Przezdziecka, Ewa;
PUBLICAÇÃO: 2025, FONTE: NANOSCALE, VOLUME: 17, NÚMERO: 12
AUTORES: Lysak, Anastasiia; Wierzbicka, Aleksandra; Magalhaes, Sergio; Dluzewski, Piotr; Jakiela, Rafal; Szot, Michal; Khosravizadeh, Zeinab; Adhikari, Abinash; Kozanecki, Adrian; Przezdziecka, Ewa;
PUBLICAÇÃO: 2025, FONTE: NANOSCALE, VOLUME: 17, NÚMERO: 12
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TÃTULO: MROX 2.0: a software tool to explore quantum heterostructures by combining X-ray reflectivity and diffraction Full Text
AUTORES: Magalhaes, S.; Cachim, C.; Correia, P. D.; Oliveira, F.; Cerqueira, F.; Sajkowski, J. M.; Stachowicz, M.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: CRYSTENGCOMM
AUTORES: Magalhaes, S.; Cachim, C.; Correia, P. D.; Oliveira, F.; Cerqueira, F.; Sajkowski, J. M.; Stachowicz, M.;
PUBLICAÇÃO: 2023, FONTE: CRYSTENGCOMM
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WOS3
TÃTULO: Multiple reflection optimization package for X-ray diffraction Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Cabaco, JS; Araujo, JP; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: CRYSTENGCOMM
AUTORES: Magalhaes, S; Cabaco, JS; Araujo, JP; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: CRYSTENGCOMM
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WOS4
TÃTULO: Promoting Third Graders' Executive Functions and Literacy: A Pilot Study Examining the Benefits of Mindfulness vs. Relaxation Training Full Text
AUTORES: Cordeiro, C; Magalhaes, S; Rocha, R; Mesquita, A; Olive, T; Castro, SL ; Limpo, T;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: FRONTIERS IN PSYCHOLOGY, VOLUME: 12
AUTORES: Cordeiro, C; Magalhaes, S; Rocha, R; Mesquita, A; Olive, T; Castro, SL ; Limpo, T;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: FRONTIERS IN PSYCHOLOGY, VOLUME: 12
5
TÃTULO: Validation of a low-cost selective powder deposition process through the characterization of tin bronze specimens
AUTORES: Magalhaes, S; Sardinha, M; Vicente, C; Leite, M; Ribeiro, R; Vaz, M; Reis, L;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: PROCEEDINGS OF THE INSTITUTION OF MECHANICAL ENGINEERS PART L-JOURNAL OF MATERIALS-DESIGN AND APPLICATIONS
AUTORES: Magalhaes, S; Sardinha, M; Vicente, C; Leite, M; Ribeiro, R; Vaz, M; Reis, L;
PUBLICAÇÃO: 2021, FONTE: PROCEEDINGS OF THE INSTITUTION OF MECHANICAL ENGINEERS PART L-JOURNAL OF MATERIALS-DESIGN AND APPLICATIONS
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WOS6
TÃTULO: Engineering strain and conductivity of MoO3 by ion implantation (vol 169, pg 15, 2019) Full Text
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Diaz Guerra; Marco Peres; Sergio Magalhaes; Joao G Correia; Jose G Marques; Ana G Silva; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 199
AUTORES: Daniela R Pereira; Carlos Diaz Guerra; Marco Peres; Sergio Magalhaes; Joao G Correia; Jose G Marques; Ana G Silva; Eduardo Alves; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2020, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 199
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WOS7
TÃTULO: Validity of Vegard's rule for Al1-xInxN (0.08 < x < 0.28) thin films grown on GaN templates Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Franco, N; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP; Schenk, HPD; Tang, F; Sadler, TC; Kappers, MJ; Oliver, RA; Monteiro, T; Martin, TL; Bagot, PAJ; Moody, MP; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 20
AUTORES: Magalhaes, S; Franco, N; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP; Schenk, HPD; Tang, F; Sadler, TC; Kappers, MJ; Oliver, RA; Monteiro, T; Martin, TL; Bagot, PAJ; Moody, MP; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2017, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 50, NÚMERO: 20
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WOS8
TÃTULO: Effect of AlN content on the lattice site location of terbium ions in AlxGa1-xN compounds Full Text
AUTORES: Fialho, M; Rodrigues, J; Magalhaes, S; Correia, MR; Monteiro, T ; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
AUTORES: Fialho, M; Rodrigues, J; Magalhaes, S; Correia, MR; Monteiro, T ; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 31, NÚMERO: 3
9
TÃTULO: Quantitative x-ray diffraction analysis of bimodal damage distributions in Tm implanted Al0.15Ga0.85N Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
AUTORES: Magalhaes, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
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WOS10
TÃTULO: Quantitative x-ray diffraction analysis of bimodal damage distributions in Tm implanted Al0.15Ga0.85N
AUTORES: Magalha∼es, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
AUTORES: Magalha∼es, S; Fialho, M; Peres, M; Lorenz, K ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics, VOLUME: 49, NÚMERO: 13
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