R. Lechner


AuthID: R-00G-6W9

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TÍTULO: Doping efficiency in freestanding silicon nanocrystals from the gas phase: Phosphorus incorporation and defect-induced compensation
AUTORES: Stegner, AR; Pereira, RN ; Lechner, R; Klein, K; Wiggers, H; Stutzmann, M; Brandt, MS;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICAL REVIEW B, VOLUME: 80, NÚMERO: 16
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 86

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