Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
161
TÃTULO: Ion beams as a tool for the characterization of near-pseudomorphic CdZnO epilayers
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Brandt, M; Henneberger, F; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Oxide-based Materials and Devices III
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Brandt, M; Henneberger, F; Alves, E; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: Oxide-based Materials and Devices III
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TÃTULO: Zeeman splittings of the 5D 0- 7F 2 transitions of Eu 3+ ions implanted into GaN
AUTORES: Kachkanov, V; O'Donnell, KP; Rice, C; Wolverson, D; Martin, RW; Lorenz, K; Alves, E ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 2010 MRS Fall Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 1290
AUTORES: Kachkanov, V; O'Donnell, KP; Rice, C; Wolverson, D; Martin, RW; Lorenz, K; Alves, E ; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: 2010 MRS Fall Meeting in Materials Research Society Symposium Proceedings, VOLUME: 1290
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TÃTULO: The photoluminescence/excitation (PL/E) spectroscopy of Eu-implanted GaN Full Text
AUTORES: K.P O’Donnell; I.S Roqan; Ke Wang; Lorenz, K; Alves, E; Boćkowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
AUTORES: K.P O’Donnell; I.S Roqan; Ke Wang; Lorenz, K; Alves, E; Boćkowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Optical Materials, VOLUME: 33, NÚMERO: 7
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TÃTULO: <title>Radiation damage formation and annealing in GaN and ZnO</title>
AUTORES: Lorenz, K; Peres, M; Franco, N; Marques, JG; Miranda, SMC; Magalhães, S; Monteiro, T; Wesch, W; Alves, E; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Oxide-based Materials and Devices II
AUTORES: Lorenz, K; Peres, M; Franco, N; Marques, JG; Miranda, SMC; Magalhães, S; Monteiro, T; Wesch, W; Alves, E; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Oxide-based Materials and Devices II
165
TÃTULO: Implanted Impurities in Wide Band Gap Semiconductors
AUTORES: Keßler, P; Lorenz, K; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Defect and Diffusion Forum - DDF, VOLUME: 311
AUTORES: Keßler, P; Lorenz, K; Vianden, R;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Defect and Diffusion Forum - DDF, VOLUME: 311
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TÃTULO: Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E; Monteiro, T; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
AUTORES: Magalhães, S; Lorenz, K; Franco, N; Barradas, NP; Alves, E; Monteiro, T; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Surface and Interface Analysis - Surf. Interface Anal., VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
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TÃTULO: Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation Full Text
AUTORES: Magalhães, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ; Alves, E; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
AUTORES: Magalhães, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ; Alves, E; Monteiro, T; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
168
TÃTULO: Depth-resolved analysis of spontaneous phase separation in the growth of lattice-matched AlInN Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; M-A di Forte Poisson; Alves, E; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 43, NÚMERO: 5
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; M-A di Forte Poisson; Alves, E; Muñoz, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Physics D: Applied Physics - J. Phys. D: Appl. Phys., VOLUME: 43, NÚMERO: 5
169
TÃTULO: Alloy and lattice disorder in Hf implanted Full Text
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
AUTORES: Thomas Geruschke; Katharina Lorenz; Reiner Vianden;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Physica B: Condensed Matter, VOLUME: 404, NÚMERO: 23-24
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TÃTULO: Breakdown of anomalous channeling with ion energy for accurate strain determination in GaN-based heterostructures Full Text
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
AUTORES: Redondo-Cubero, A; Lorenz, K; Gago, R; Franco, N; Fernández-Garrido, S; Smulders, PJM; Muñoz, E; Calleja, E; Watson, IM; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Appl. Phys. Lett. - Applied Physics Letters, VOLUME: 95, NÚMERO: 5
