Teresa Maria Fernandes Rodrigues Cabral Monteiro


AuthID: R-000-H53

Publicações Confirmadas: 274



241
TÍTULO: Optical and structural changes of FE implanted sapphire
AUTORES: Marques, CP; Alves, EJ ; McHargue, CJ; Da Silva, MF; Soares, JC ; Correia, R; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Ion Beam Synthesis and Processing of Advanced Materials in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 647
INDEXADO EM: Scopus
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242
TÍTULO: Optical and structural changes of fe implanted sapphire
AUTORES: Marques, CP; Alves, EJ; McHargue, CJ; Da Silva, MF; Soares, JC; Correia, R; Soares, MJ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 647
INDEXADO EM: Scopus
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243
TÍTULO: Optical characterization of AlGaN/GaN MQW's
AUTORES: Rocha, RA; Monteiro, T ; Pereira, E; Alves, E;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
INDEXADO EM: Scopus
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244
TÍTULO: Optical characterization of AlGaN/GaN MQW's
AUTORES: Rocha, RA; Monteiro, T ; Pereira, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: GaN and Related Alloys 2000 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
INDEXADO EM: Scopus
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245
TÍTULO: Optical characterization of ZnO  Full Text
AUTORES: Gaspar, C; Costa, F ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 3rd International Conference on Materials in Microelectronics in JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, VOLUME: 12, NÚMERO: 4-6
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 12 Handle
246
TÍTULO: Optical doping of nitrides by ion implantation  Full Text
AUTORES: Alves, E ; Lorenz, K ; Vianden, R; Boemare, C; Soares, MJ ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Workshop on Advanced Materials Produced and Analyzed with Ion Beams in MODERN PHYSICS LETTERS B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28-29
INDEXADO EM: Scopus WOS
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247
TÍTULO: OPTICAL DOPING OF NITRIDES BY ION IMPLANTATION  Full Text
AUTORES: ALVES, E ; LORENZ, K ; VIANDEN, R; BOEMARE, C; SOARES, MJ; MONTEIRO, T ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Modern Physics Letters B - Mod. Phys. Lett. B, VOLUME: 15, NÚMERO: 28n29
INDEXADO EM: CrossRef: 23
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248
TÍTULO: Photoluminescence and lattice location of Eu and Pr implanted GaN samples  Full Text
AUTORES: Monteiro, T ; Boemare, C; Soares, MJ ; Ferreira, RAS ; Carlos, LD ; Lorenz, K ; Vianden, R; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
249
TÍTULO: Photoluminescence studies in ZnO samples  Full Text
AUTORES: Boemare, C; Monteiro, T ; Soares, MJ ; Guilherme, JG; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: 21st International Conference on Defects in Semiconductors in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 308
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef Handle
250
TÍTULO: Raman spectroscopy studies in InGaN/GaN wurtzite epitaxial films
AUTORES: Correia, MR ; Pereira, S ; Monteiro, T ; Pereira, E; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: GaN and Related Alloys 2000 in Materials Research Society Symposium - Proceedings, VOLUME: 639
INDEXADO EM: Scopus
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Página 25 de 28. Total de resultados: 274.

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