Joaquim Fernando Monteiro Pratas


AuthID: R-000-7HP

Publicações Confirmadas: 62



51
TÍTULO: RBS/channeling study of buried Ge quantum dots grown in a Si layer  Full Text
AUTORES: Fonseca, A; Alves, E ; Barradas, NP ; P. Leitao ; Sobolev, NA; Carmo, MC; Nikiforov, AI; Presting, H;
PUBLICAÇÃO: 2006, FONTE: 17th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 249, NÚMERO: 1-2 SPEC. ISS.
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
NO MEU: ResearcherID
52
TÍTULO: High resolution backscattering studies of nanostructured magnetic and semiconducting materials  Full Text
AUTORES: Fonseca, A; Franco, N; Alves, E ; Barradas, NP ; Leitao, JP ; Sobolev, NA; Banhart, DF; Presting, H; Ulyanov, VV; Nikiforov, AI;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 18th International Conference on Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 241, NÚMERO: 1-4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 13
NO MEU: ResearcherID
53
TÍTULO: Low-temperature molecular beam epitaxy of Ge on Si  Full Text
AUTORES: Leitao, JP ; Fonseca, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Franco, N; Sequeira, AD; Burbaev, TM; Kurbatov, VA; Rzaev, MM; Pogosov, AO; Sibeldin, NN; Tsvetkov, VA; Lichtenberger, H; Schaffler, F;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: 2nd International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) in MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, VOLUME: 8, NÚMERO: 1-3
INDEXADO EM: Scopus WOS
NO MEU: ResearcherID
54
TÍTULO: Morphological transformation of a germanium layer grown on a silicon surface by molecular-beam epitaxy at low temperatures  Full Text
AUTORES: Burbaev, TM; Kurbatov, VA; Rzaev, MM; Pogosov, AO; Sibel'din, NN; Tsvetkov, VA; Lichtenberger, H; Schaffler, F; Leitao, JP ; Sobolev, NA; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Nanophotonics 2004 Workshop in PHYSICS OF THE SOLID STATE, VOLUME: 47, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
NO MEU: ResearcherID
55
TÍTULO: Optical and structural study of Ge/Si quantum dots on Si(100) surface covered with a thin silicon oxide layer  Full Text
AUTORES: Fonseca, A; Alves, E ; Leitao, JP ; Sobolev, NA; Carmo, MC; Nikiforov, AI;
PUBLICAÇÃO: 2005, FONTE: Symposium on Materials Science and Device Issues for Futrue Si-Based Technologies held at the 2005 EMRS Meeting in MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, VOLUME: 124, NÚMERO: SUPPL.
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
NO MEU: ResearcherID
56
TÍTULO: Structural characterization and luminescence of Ge/Si quantum dots
AUTORES: Fonseca, A; Sobolev, NA; Leitao, JP ; Carmo, MC; Franco, N; Presting, H; Sequeira, AD;
PUBLICAÇÃO: 2004, FONTE: 2nd International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM II, VOLUME: 455-456
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 1
57
TÍTULO: Influence of defects on the luminescence of Ge/Si quantum dots  Full Text
AUTORES: Sobolev, NA; Fonseca, A; Leitao, JP ; Carmo, MC; Presting, H; Kibbel, H;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots in 2ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 10
NO MEU: ResearcherID
58
TÍTULO: Pulsed laser annealing of Si-Ge superlattices  Full Text
AUTORES: Sobolev, NA; Ivlev, GD; Gatskevich, EI; Leitao, JP ; Fonseca, A; Carmo, MC; Lopes, AB ; Sharaev, DN; Kibbel, H; Presting, H;
PUBLICAÇÃO: 2003, FONTE: Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS) in MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING C-BIOMIMETIC AND SUPRAMOLECULAR SYSTEMS, VOLUME: 23, NÚMERO: 1-2
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
NO MEU: ResearcherID
59
TÍTULO: Uniaxial stress study of the 1026-meV center in Si:Pt
AUTORES: Leitao, JP ; Carmo, MC;
PUBLICAÇÃO: 2001, FONTE: Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, VOLUME: 63, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: Scopus
60
TÍTULO: The 777 meV photoluminescence band in Si : Pt  Full Text
AUTORES: Leitao, JP ; Carmo, MC; Henry, MO; McGlynn, E; Bolmann, J; Lindner, S;
PUBLICAÇÃO: 1999, FONTE: 20th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-20) in PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 273-4
INDEXADO EM: Scopus WOS
NO MEU: ResearcherID
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