Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

Publicações Confirmadas: 298



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TÍTULO: Determination of Ga auto-incorporation in nominal InAlN epilayers grown by MOCVD  Full Text
AUTORES: Smith, MD; Taylor, E; Sadler, TC; Zubialevich, VZ; Lorenz, K ; Li, HN; O'Connell, J; Alves, E ; Holmes, JD; Martin, RW; Parbrook, PJ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 2, NÚMERO: 29
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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TÍTULO: Doping of Ga2O3 bulk crystals and NWs by ion implantation
AUTORES: Lorenz, K ; Peres, M; Felizardo, M ; Correia, JG ; Alves, LC; Alves, E ; Lopez, I; Nogales, E; Mendez, B; Piqueras, J; Barbosa, MB; Araujo, JP ; Goncalves, JN; Rodrigues, J; Rino, L; Monteiro, T ; Villora, EG; Shimamura, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 15
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TÍTULO: Errata: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: a review
AUTORES: José G Marques ; Katharina Lorenz ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering - Opt. Eng, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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TÍTULO: Europium-doped GaN(Mg): beyond the limits of the light-emitting diode. Europium-doped GaN(Mg): beyond the limits of the light-emitting diode  Full Text
AUTORES: O'Donnell, KP; Edwards, PR; Kappers, MJ; Lorenz, K ; Alves, E; Bockowski, M;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 3-4, VOLUME: 11, NÚMERO: 3-4
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TÍTULO: Functional nanowires: Synthesis, characterization and applications
AUTORES: Bianchi Méndez; Katharina Lorenz ; Beatrice Fraboni; Oliver Ambacher;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, VOLUME: 11, NÚMERO: 2
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TÍTULO: GaN:Pr3+ nanostructures for red solid state light emission
AUTORES: Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Felizardo, M ; Soares, MJ; Alves, E ; Neves, AJ; Fellmann, V; Tourbot, G; Auzelle, T; Daudin, B; Bockowski, M; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 4, NÚMERO: 108
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 2
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TÍTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics  Full Text
AUTORES: Valdueza Felip, S; Bellet Amalric, E; Nunez Cascajero, A; Wang, Y; P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K ; Alves, E ; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
INDEXADO EM: WOS
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TÍTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics  Full Text
AUTORES: Valdueza-Felip, S; Bellet-Amalric, E; Núñez-Cascajero, A; Wang, Y; M.-P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K ; Alves, E ; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
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TÍTULO: High optical and structural quality of GaN epilayers grown on ((2)over-bar01) beta-Ga2O3  Full Text
AUTORES: Muhammed, MM; Peres, M; Yamashita, Y; Morishima, Y; Sato, S; Franco, N; Lorenz, K ; Kuramata, A; Roqan, IS;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 105, NÚMERO: 4
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Página 12 de 30. Total de resultados: 298.

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