Katharina Lorenz


AuthID: R-000-90E

Publicações Confirmadas: 314



141
TÍTULO: Study of the relationship between crystal structure and luminescence in rare-earth-implanted Ga2O3 nanowires during annealing treatments  Full Text
AUTORES: Lopez, I; Lorenz, K ; Nogales, E; Mendez, B; Piqueras, J; Alves, E ; Garcia, JA;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 49, NÚMERO: 3
INDEXADO EM: Scopus WOS
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142
TÍTULO: ZnO micro/nanocrystals grown by Laser Assisted Flow Deposition
AUTORES: Rodrigues, J; Fernandes, AJS; Mata, D; Holz, T; Carvalho, RG; Fath F Allah; Ben, T; Gonzalez, D; Silva, RF ; da Cunha, AF; Correia, MR; Alves, LC; Lorenz, K ; Neves, AJ; Costa, FM; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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143
TÍTULO: A comparative study of photo-, cathodo- and ionoluminescence of GaN nanowires implanted with rare earth ions  Full Text
AUTORES: Rodrigues, J; Miranda, SMC; Peres, M; Nogales, E; Alves, LC; Alves, E ; Tourbot, G; Daudin, B; Mendez, B; Lorenz, K ; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 306
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 5
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144
TÍTULO: Characterisation of III-nitride materials by synchrotron X-ray microdiffraction reciprocal space mapping  Full Text
AUTORES: Vyacheslav Kachkanov; Igor Dolbnya; Kevin O'Donnell; Katharina Lorenz ; Sergio Pereira ; Ian Watson; Thomas Sadler; Haoning N Li; Vitaly Zubialevich; Peter Parbrook;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN) in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3, VOLUME: 10, NÚMERO: 3
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145
TÍTULO: Comparison of low- and room-temperature damage formation in Ar ion implanted GaN and ZnO  Full Text
AUTORES: Wendler, E; Wesch, W; Yu. Y Azarov; Catarino, N; Redondo Cubero, A; Alves, E ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 18th International Conference on Ion Beam Modifications of Materials (IBMM) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 307
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
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146
TÍTULO: Composition and luminescence studies of InGaN epilayers grown at different hydrogen flow rates  Full Text
AUTORES: Taylor, E; Fang, F; Oehler, F; Edwards, PR; Kappers, MJ; Lorenz, K ; Alves, E ; McAleese, C; Humphreys, CJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 28, NÚMERO: 6
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147
TÍTULO: Disorder induced violet/blue luminescence in rf-deposited ZnO films  Full Text
AUTORES: Peres, M; Magalhaes, S; Soares, MR; Soares, MJ ; Rino, L; Alves, E ; Lorenz, K ; Correia, MR ; Lourenco, AC; Monteiro, T ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: E-MRS ICAM IUMRS Spring Meeting / Symposium T on Physics and Applications of Novel Gain Materials Based on Nitrogen and Bismuth Containing III-V Compounds in PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 4, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 9
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148
TÍTULO: Enhanced red emission from praseodymium-doped GaN nanowires by defect engineering  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Nogales, E; Miranda, SMC; Franco, N; Mendez, B; Alves, E ; Tourbot, G; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: ACTA MATERIALIA, VOLUME: 61, NÚMERO: 9
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149
TÍTULO: Lattice site location and luminescence studies of AlxGa1-xN alloys doped with thulium ions  Full Text
AUTORES: Fialho, M; Lorenz, K ; Magalhaes, S; Rodrigues, J; Santos, NF; Monteiro, T ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: 18th International Conference on Ion Beam Modifications of Materials (IBMM) in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 307
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef: 4
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150
TÍTULO: Mechanisms of Damage Formation during Rare Earth Ion Implantation in Nitride Semiconductors
AUTORES: Pierre Ruterana; Marie Pierre Chauvat; Katharina Lorenz ;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 52, NÚMERO: 11
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