Pedro Miguel Cândido Barquinha
AuthID: R-000-EY1
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TÃTULO: Charging effects and surface potential variations of Cu-based nanowires Full Text
AUTORES: Nunes, D; Calmeiro, TR; Nandy, S; Pinto, JV; Pimentel, A; Barquinha, P; Carvalho, PA; Walmsley, JC; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 601
AUTORES: Nunes, D; Calmeiro, TR; Nandy, S; Pinto, JV; Pimentel, A; Barquinha, P; Carvalho, PA; Walmsley, JC; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: THIN SOLID FILMS, VOLUME: 601
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TÃTULO: A thermalization energy analysis of the threshold voltage shift in amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors under positive gate bias stress Full Text
AUTORES: Niang, KM; Barquinha, PMC; Martins, RFP; Cobb, B; Powell, MJ; Flewitt, AJ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 9
AUTORES: Niang, KM; Barquinha, PMC; Martins, RFP; Cobb, B; Powell, MJ; Flewitt, AJ;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 108, NÚMERO: 9
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TÃTULO: InGaZnO TFT behavioral model for IC design Full Text
AUTORES: Pydi Bahubalindrun ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, VOLUME: 87, NÚMERO: 1
AUTORES: Pydi Bahubalindrun ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING, VOLUME: 87, NÚMERO: 1
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TÃTULO: TCAD Simulation of Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors
AUTORES: Jorge Martins; Pedro Barquinha; Joao Goes;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
AUTORES: Jorge Martins; Pedro Barquinha; Joao Goes;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
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TÃTULO: Electrochemical Transistor Based on Tungsten Oxide with Optoelectronic Properties
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
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TÃTULO: Oxide TFTs on Flexible Substrates for Designing and Fabricating Analog-to-Digital Converters
AUTORES: Ana Correia; Joao Goes; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
AUTORES: Ana Correia; Joao Goes; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 7th IFIP WG 5.5/SOCOLNET Advanced Doctoral Conference on Computing, Electrical and Industrial Systems (DoCEIS) in TECHNOLOGICAL INNOVATION FOR CYBER-PHYSICAL SYSTEMS, VOLUME: 470
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TÃTULO: InGaZnO Thin-Film-Transistor-Based Four-Quadrant High-Gain Analog Multiplier on Glass
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Jerome Borme; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 4
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Jerome Borme; Pedro Guedes de Oliveira; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOLUME: 37, NÚMERO: 4
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TÃTULO: Transparent field-effect transistors based on AlN-gate dielectric and IGZO-channel semiconductor Full Text
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Applied Surface Science, VOLUME: 379
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Applied Surface Science, VOLUME: 379
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TÃTULO: Transparent field-effect transistors based on AlN-gate dielectric and IGZO-channel semiconductor Full Text
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 379
AUTORES: Besleaga, C; Stan, GE; Pintilie, I; Barquinha, P; Fortunato, E; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED SURFACE SCIENCE, VOLUME: 379
INDEXADO EM:
WOS

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TÃTULO: Influence of Channel Length Scaling on InGaZnO TFTs Characteristics: Unity Current-Gain Cutoff Frequency, Intrinsic Voltage-Gain, and On-Resistance Full Text
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Asal Kiazadeh; Allegra Sacchetti; Jorge Martins ; Ana Rovisco; Vitor Grade Tavares ; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 12, NÚMERO: 6
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Asal Kiazadeh; Allegra Sacchetti; Jorge Martins ; Ana Rovisco; Vitor Grade Tavares ; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY, VOLUME: 12, NÚMERO: 6