341
TÍTULO: Role of Trimethylboron to Silane Ratio on the Properties of <I>p</I>-Type Nanocrystalline Silicon Thin Film Deposited by Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
AUTORES: Águas, H; Filonovich, SA; Bernacka-Wojcik, I; Fortunato, E ; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: Journal of Nanoscience and Nanotechnology - J. Nanosci. Nanotech., VOLUME: 10, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
342
TÍTULO: Room-Temperature Cosputtered HfO2-Al2O3 Multicomponent Gate Dielectrics
AUTORES: Pei, ZL; Pereira, L ; Goncalves, G; Barquinha, P; Franco, N; Alves, E ; Rego, AMB ; Martins, R; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, VOLUME: 12, NÚMERO: 10
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
343
TÍTULO: Preface  Full Text
AUTORES: Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Phys. Status Solidi (a) - physica status solidi (a), VOLUME: 206, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
344
TÍTULO: <title>Paper field effect transistor</title>
AUTORES: Fortunato, E ; Nuno Correia; Pedro Barquinha; Cláudia Costa; Luís Pereira ; Gonçalo Gonçalves; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
345
TÍTULO: <title>Zinc oxide and related compounds: order within the disorder</title>
AUTORES: Martins, R; Luisa Pereira ; Barquinha, P; Ferreira, I; Prabakaran, R; Goncalves, G; Goncalves, A; Fortunato, E ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Zinc Oxide Materials and Devices IV
INDEXADO EM: CrossRef
NO MEU: ORCID
346
TÍTULO: Self-sustained n-type memory transistor devices based on natural cellulose paper fibers
AUTORES: Rodrigo Martins; Luís Pereira ; Pedro Barquinha; Nuno Correia; Gonçalo Gonçalves; Isabel Ferreira; Carlos Dias; Correia N.; Dionísio M.; Silva M. ; Elvira Fortunato ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: Journal of Information Display, VOLUME: 10, NÚMERO: 4
INDEXADO EM: Scopus CrossRef: 7
347
TÍTULO: Evidence of cold bubble-like structure in START density limit plasmas  Full Text
AUTORES: Ribeiro, C; Jenkins, I; Martin, R; Sykes, A; Walsh, MJ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PLASMA PHYSICS REPORTS, VOLUME: 34, NÚMERO: 9
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
348
TÍTULO: Relaxation of compressively strained AlInN on GaN  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Franco, N; Alves, E ; Pereira, S ; Watson, IM; Martin, RW; O'Donnell, KP;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 310, NÚMERO: 18
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
349
TÍTULO: Rare earth doping of III-nitride alloys by ion implantation  Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Alves, E ; Roqan, IS; Martin, RW; Trager Cowan, C; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 2nd Workshop on Impurity Based Electroluminescent Devices and Materials (IBEDM 2006) in PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, VOLUME: 205, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
350
TÍTULO: Luminescence spectroscopy of Eu-implanted zincblende GaN  Full Text
AUTORES: Roqan, IS; O'Donnell, KP; Trager Cowan, C; Hourahine, B; Martin, RW; Lorenz, K ; Alves, E ; As, DJ; Panfilova, M; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 245, NÚMERO: 1
INDEXADO EM: Scopus WOS CrossRef
Página 35 de 49. Total de resultados: 481.