Sérgio Nuno Canteiro de Magalhães
AuthID: R-001-JX8
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TÃTULO: Optical doping of AlxGa1-xN compounds by Ion Implantation of Tm ions Full Text
AUTORES: Fialho, M; Lorenz, K ; Magalhaes, S; Redondo Cubero, A; Rodrigues, J; Santos, NF; Monteiro, T ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 19th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT) in ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2012, VOLUME: 1496
AUTORES: Fialho, M; Lorenz, K ; Magalhaes, S; Redondo Cubero, A; Rodrigues, J; Santos, NF; Monteiro, T ; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2012, FONTE: 19th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT) in ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2012, VOLUME: 1496
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TÃTULO: Radiation damage formation and annealing in GaN and ZnO
AUTORES: Lorenz, K ; Peres, M; Franco, N; Marques, JG ; Miranda, SMC; Magalhaes, S; Monteiro, T ; Wesch, W; Alves, E ; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Conference on Oxide-based Materials and Devices II in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES II, VOLUME: 7940
AUTORES: Lorenz, K ; Peres, M; Franco, N; Marques, JG ; Miranda, SMC; Magalhaes, S; Monteiro, T ; Wesch, W; Alves, E ; Wendler, E;
PUBLICAÇÃO: 2011, FONTE: Conference on Oxide-based Materials and Devices II in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES II, VOLUME: 7940
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TÃTULO: Functionalizing self-assembled GaN quantum dot superlattices by Eu-implantation Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ ; Alves, E ; Monteiro, T ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
AUTORES: Magalhaes, S; Peres, M; Fellmann, V; Daudin, B; Neves, AJ ; Alves, E ; Monteiro, T ; Lorenz, K ;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 108, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Effect of annealing on AlN/GaN quantum dot heterostructures: Advanced ion beam characterization and X-ray study of low-dimensional structures Full Text
AUTORES: Magalhaes, S; Lorenz, K ; Franco, N; Barradas, NP ; Alves, E ; Monteiro, T ; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices in SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
AUTORES: Magalhaes, S; Lorenz, K ; Franco, N; Barradas, NP ; Alves, E ; Monteiro, T ; Amstatt, B; Fellmann, V; Daudin, B;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: 7th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices in SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, VOLUME: 42, NÚMERO: 10-11
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TÃTULO: Al1-xInxN/GaN bilayers: Structure, morphology, and optical properties Full Text
AUTORES: Lorenz, K ; Magalhaes, S; Franco, N; Barradas, NP ; Darakchieva, V; Alves, E ; Pereira, S ; Correia, MR ; Munnik, F; Martin, RW; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: E-MRS Fall Meeting on Wide Band Gap II-VI and III-V Semiconductors in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 247, NÚMERO: 7
AUTORES: Lorenz, K ; Magalhaes, S; Franco, N; Barradas, NP ; Darakchieva, V; Alves, E ; Pereira, S ; Correia, MR ; Munnik, F; Martin, RW; O'Donnell, KP; Watson, IM;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: E-MRS Fall Meeting on Wide Band Gap II-VI and III-V Semiconductors in PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, VOLUME: 247, NÚMERO: 7
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TÃTULO: Indium kinetics during the plasma-assisted molecular beam epitaxy of semipolar (11-22) InGaN layers Full Text
AUTORES: Das, A; Magalhaes, S; Kotsar, Y; Kandaswamy, PK; Gayral, B; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruterana, P; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 18
AUTORES: Das, A; Magalhaes, S; Kotsar, Y; Kandaswamy, PK; Gayral, B; Lorenz, K ; Alves, E ; Ruterana, P; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2010, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 96, NÚMERO: 18
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TÃTULO: Pulsed injection metal organic chemical vapour deposition and characterisation of thin CaO films Full Text
AUTORES: Borges, RP; Ferreira, P ; Saraiva, A; Goncalves, R; Rosa, MA; Goncalves, AP ; da Silva, RC; Magalhaes, S; Lourenco, MJV ; Santos, FJV ; Godinho, M ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 8-11
AUTORES: Borges, RP; Ferreira, P ; Saraiva, A; Goncalves, R; Rosa, MA; Goncalves, AP ; da Silva, RC; Magalhaes, S; Lourenco, MJV ; Santos, FJV ; Godinho, M ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: PHYSICA B-CONDENSED MATTER, VOLUME: 404, NÚMERO: 8-11
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TÃTULO: Strain and interface effects on the magnetic and transport properties of La(0.7)Ca(0.3)MnO(3)/CaO multilayers Full Text
AUTORES: Casaca, A ; Borges, RP; Ferreira, P; Saraiva, A; Rosa, MA; da Silva, RC; Nunes, WC; Magalhaes, S; Godinho, M ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: International Conference on Superconductivity and Magnetism (ICSM) in INTERNATIONAL CONFERENCE ON SUPERCONDUCTIVITY AND MAGNETISM (ICSM), VOLUME: 153
AUTORES: Casaca, A ; Borges, RP; Ferreira, P; Saraiva, A; Rosa, MA; da Silva, RC; Nunes, WC; Magalhaes, S; Godinho, M ;
PUBLICAÇÃO: 2009, FONTE: International Conference on Superconductivity and Magnetism (ICSM) in INTERNATIONAL CONFERENCE ON SUPERCONDUCTIVITY AND MAGNETISM (ICSM), VOLUME: 153
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TÃTULO: Ion beam studies of InAs/GaAs self assembled quantum dots Full Text
AUTORES: Alves, E ; Magalhaes, S; Barradas, NP ; Baidus, NV; Vasilevskiy, MI ; Zvonkov, BN;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 18th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 266, NÚMERO: 8
AUTORES: Alves, E ; Magalhaes, S; Barradas, NP ; Baidus, NV; Vasilevskiy, MI ; Zvonkov, BN;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 18th International Conference on Ion Beam Analysis in NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, VOLUME: 266, NÚMERO: 8
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TÃTULO: Study of SiGe Alloys with Different Germanium Concentrations Implanted with Mn and As Ions
AUTORES: Magalhaes, S; Sobolev, NA; Abrosimov, NV; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 13th Conference of the Sociedade-Portuguesa-de-Materiais/4th International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM IV, VOLUME: 587-588
AUTORES: Magalhaes, S; Sobolev, NA; Abrosimov, NV; Alves, E ;
PUBLICAÇÃO: 2008, FONTE: 13th Conference of the Sociedade-Portuguesa-de-Materiais/4th International Materials Symposium in ADVANCED MATERIALS FORUM IV, VOLUME: 587-588
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