Katharina Lorenz
AuthID: R-000-90E
131
TÃTULO: Structural and optical properties of Ga auto-incorporated InAlN epilayers Full Text
AUTORES: Taylor, E; Smith, MD; Sadler, TC; Lorenz, K; Li, HN; Alves, E; Parbrook, PJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 408
AUTORES: Taylor, E; Smith, MD; Sadler, TC; Lorenz, K; Li, HN; Alves, E; Parbrook, PJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, VOLUME: 408
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TÃTULO: GaN:Pr3+ nanostructures for red solid state light emission
AUTORES: Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Felizardo, M ; Soares, MJ; Alves, E; Neves, AJ; Fellmann, V; Tourbot, G; Auzelle, T; Daudin, B; Bockowski, M; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 4, NÚMERO: 108
AUTORES: Rodrigues, J; Ben Sedrine, N; Felizardo, M ; Soares, MJ; Alves, E; Neves, AJ; Fellmann, V; Tourbot, G; Auzelle, T; Daudin, B; Bockowski, M; Lorenz, K; Monteiro, T;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: RSC ADVANCES, VOLUME: 4, NÚMERO: 108
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TÃTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics Full Text
AUTORES: Valdueza Felip, S; Bellet Amalric, E; Nunez Cascajero, A; Wang, Y; P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
AUTORES: Valdueza Felip, S; Bellet Amalric, E; Nunez Cascajero, A; Wang, Y; P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: an integrated review
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Annual Conference on Oxide-Based Materials and Devices V held at SPIE Photonics West in OXIDE-BASED MATERIALS AND DEVICES V, VOLUME: 8987
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TÃTULO: Erratum: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO<inf>3</inf>: A review (Optical Engineering (2014) 53:6 (060901))
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO<inf>3</inf>: A review
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
AUTORES: Marques, JG; Lorenz, K;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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TÃTULO: High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Growth conditions, strain relaxation, and In incorporation kinetics Full Text
AUTORES: Valdueza-Felip, S; Bellet-Amalric, E; Núñez-Cascajero, A; Wang, Y; M.-P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
AUTORES: Valdueza-Felip, S; Bellet-Amalric, E; Núñez-Cascajero, A; Wang, Y; M.-P Chauvat; Ruterana, P; Pouget, S; Lorenz, K; Alves, E; Monroy, E;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: J. Appl. Phys. - Journal of Applied Physics, VOLUME: 116, NÚMERO: 23
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TÃTULO: Errata: Lattice location of Hf and its interaction with other impurities in LiNbO3: a review
AUTORES: José G Marques; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering - Opt. Eng, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
AUTORES: José G Marques; Katharina Lorenz;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Optical Engineering - Opt. Eng, VOLUME: 53, NÚMERO: 6
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TÃTULO: Functional nanowires: Synthesis, characterization and applications
AUTORES: Bianchi Méndez; Katharina Lorenz; Beatrice Fraboni; Oliver Ambacher;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, VOLUME: 11, NÚMERO: 2
AUTORES: Bianchi Méndez; Katharina Lorenz; Beatrice Fraboni; Oliver Ambacher;
PUBLICAÇÃO: 2014, FONTE: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, VOLUME: 11, NÚMERO: 2
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TÃTULO: Composition and luminescence studies of InGaN epilayers grown at different hydrogen flow rates Full Text
AUTORES: Taylor, E; Fang, F; Oehler, F; Edwards, PR; Kappers, MJ; Lorenz, K; Alves, E ; McAleese, C; Humphreys, CJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 28, NÚMERO: 6
AUTORES: Taylor, E; Fang, F; Oehler, F; Edwards, PR; Kappers, MJ; Lorenz, K; Alves, E ; McAleese, C; Humphreys, CJ; Martin, RW;
PUBLICAÇÃO: 2013, FONTE: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, VOLUME: 28, NÚMERO: 6
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