Rodrigo Ferrao Paiva Martins
AuthID: R-000-FKV
211
TÃTULO: Improving positive and negative bias illumination stress stability in parylene passivated IGZO transistors Full Text
AUTORES: Asal Kiazadeh; Henrique L Gomes; Pedro Barquinha; Jorge Martins; Ana Rovisco; Joana V Pinto; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 109, NÚMERO: 5
AUTORES: Asal Kiazadeh; Henrique L Gomes; Pedro Barquinha; Jorge Martins; Ana Rovisco; Joana V Pinto; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: APPLIED PHYSICS LETTERS, VOLUME: 109, NÚMERO: 5
212
TÃTULO: Influence of the Substrate on the Morphology of Self-Assembled Silver Nanoparticles by Rapid Thermal Annealing
AUTORES: Araújo, A; Mendes, MJ; Mateus, T; Vicente, A; Nunes, D; Calmeiro, T; Fortunato, E; Águas, H; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 32
AUTORES: Araújo, A; Mendes, MJ; Mateus, T; Vicente, A; Nunes, D; Calmeiro, T; Fortunato, E; Águas, H; Martins, R;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Journal of Physical Chemistry C, VOLUME: 120, NÚMERO: 32
213
TÃTULO: Novel Linear Analog-Adder Using a-IGZO TFTs
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) in 2016 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS), VOLUME: 2016-July
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Grade Tavares ; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Pedro Barquinha;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) in 2016 IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS (ISCAS), VOLUME: 2016-July
214
TÃTULO: Basic Analog and Digital Circuits with a-IGZO TFTs
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD) in 2016 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SYNTHESIS, MODELING, ANALYSIS AND SIMULATION METHODS AND APPLICATIONS TO CIRCUIT DESIGN (SMACD)
AUTORES: Pydi Ganga Bahubalindruni ; Vitor Tavares ; Pedro Barquinha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: 13th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD) in 2016 13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SYNTHESIS, MODELING, ANALYSIS AND SIMULATION METHODS AND APPLICATIONS TO CIRCUIT DESIGN (SMACD)
215
TÃTULO: Influence of the Substrate on the Morphology of Self-Assembled Silver Nanoparticles by Rapid Thermal Annealing
AUTORES: Andreia Araujo; Manuel J Mendes; Tiago Mateus; Antonio Vicente; Daniela Nunes; Tomas Calmeiro; Elvira Fortunato; Hugo Aguas; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 120, NÚMERO: 32
AUTORES: Andreia Araujo; Manuel J Mendes; Tiago Mateus; Antonio Vicente; Daniela Nunes; Tomas Calmeiro; Elvira Fortunato; Hugo Aguas; Rodrigo Martins;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, VOLUME: 120, NÚMERO: 32
INDEXADO EM: 
WOS
WOS216
TÃTULO: Interpreting anomalies observed in oxide semiconductor TFTs under negative and positive bias stress Full Text
AUTORES: Jong Woo Jin; Arokia Nathan; Pedro Barquinha; Luis Pereira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Brian Cobb;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: AIP ADVANCES, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
AUTORES: Jong Woo Jin; Arokia Nathan; Pedro Barquinha; Luis Pereira; Elvira Fortunato; Rodrigo Martins; Brian Cobb;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: AIP ADVANCES, VOLUME: 6, NÚMERO: 8
217
TÃTULO: Transistors: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation (Adv. Electron. Mater. 9/2016)
AUTORES: Grey, P; Pereira, L; Pereira, S; Barquinha, P; Cunha, I; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Advanced Electronic Materials, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
AUTORES: Grey, P; Pereira, L; Pereira, S; Barquinha, P; Cunha, I; Martins, R; Fortunato, E;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: Advanced Electronic Materials, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
218
TÃTULO: Solid State Electrochemical WO3 Transistors with High Current Modulation
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
AUTORES: Paul Grey; Luis Pereira; Sonia Pereira; Pedro Barquinha; Ines Cunha; Rodrigo Martins; Elvira Fortunato;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
219
TÃTULO: Solution-Processed Alkaline Lithium Oxide Dielectrics for Applications in n- and p-Type Thin-Film Transistors
AUTORES: Liu, A; Liu, GX; Zhu, CD; Zhu, HH; Fortunato, E; Martins, R; Shan, FK;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
AUTORES: Liu, A; Liu, GX; Zhu, CD; Zhu, HH; Fortunato, E; Martins, R; Shan, FK;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, VOLUME: 2, NÚMERO: 9
220
TÃTULO: High-mobility p-type NiOx thin-film transistors processed at low temperatures with Al2O3 high-k dielectric Full Text
AUTORES: Shan, FK; Liu, A; Zhu, HH; Kong, WJ; Liu, JQ; Shin, BC; Fortunato, E; Martins, R; Liu, GX;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 4, NÚMERO: 40
AUTORES: Shan, FK; Liu, A; Zhu, HH; Kong, WJ; Liu, JQ; Shin, BC; Fortunato, E; Martins, R; Liu, GX;
PUBLICAÇÃO: 2016, FONTE: JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, VOLUME: 4, NÚMERO: 40
